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正負光刻膠

正負光刻膠

光刻膠分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的，故此叫正膠，利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。

一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠! 正性光刻膠比負性的精度要高，負膠顯影后圖形有漲縮，負性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優于0.5μm 導致影響精度，正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響孔。同種厚度的正負膠，在對于抗濕法和腐蝕性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。賽米萊德提供美國Futurrex的光刻膠的供應與技術參數。當顯影后NR9-3000PY顯示出負的側壁角度，是lift-off工藝中比較簡易的光刻膠。

光刻膠國內的研發起步較晚

光刻膠的研發，關鍵在于其成分復雜、工藝技術難以掌握。光刻膠主要成分有高分子樹脂、色漿、單體、感光引發劑、溶劑以及添加劑，開發所涉及的技術難題眾多，需從低聚物結構設計和篩選、合成工藝的確定和優化、活性單體的篩選和控制、色漿細度控制和穩定、產品配方設計和優化、產品生產工藝優化和穩定、終使用條件匹配和寬容度調整等方面進行調整。因此，要自主研發生產，技術難度非常之高。現代刻劃技術可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephoreniepce在各種材料光照實驗以后，開始試圖復一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。

在光刻膠研發上，我國起步晚，2000年后才開始重視。近幾年，雖說有了快速發展，但整體還處于起步階段。事實上，工藝技術水平與國外企業有著很大的差距，尤其是材料及設備都仍依賴進口。

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光刻膠底膜處理：清洗：清潔干燥，使硅片與光刻膠良好的接觸。烘干：去除襯底表面的水汽，使其徹底干燥，增粘處理(涂底)： 涂上增加光刻膠與硅片表面附著能力的化合物，HMDS，光刻膠疏水，Sio2 空氣中，Si-OH, 表面有，親水性，使用HMDS （H2C）6Si2NH 涂覆，熏蒸  與 SI –OH結合形成Si-O-Si(CH2)2，與光刻膠相親。政策扶持為促進我國光刻膠產業的發展，國家02重大專項給予了大力支持。