廣州肖特基二極管參數來電咨詢,強元芯電子

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為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD，采用Ni接觸與Ti接觸相結合、高/低勢壘雙金屬溝槽(DMT)結構的SiCSBD設計方案是可行的。采用這種結構的SiCSBD，反向特性與Ni肖特基整流器相當，在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護環的6H-SiCSBD，擊穿電壓達550V。

要問肖特基二極管與快恢復二極管的差別，以及為什么采購生產等都喜歡使用肖特基二極管的原因，那就是頻率的高低不同，直接影響到應用當中的能源耗損，像ASEMI的肖特基二極管，其反向恢復時間已能縮短到5ns以內。但它的反向耐壓值較低，一般不超過去時100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點，能提高低壓、大電流整流（或續流）電路的效率 。

MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封裝；MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封裝

　　元件的封裝形式也在型號的前綴第四位字母中體現，例如：

　　MBRD10100CT:第四位的D,表示貼片DPAK封裝

　　MBRB10100CT:第四位的B,表示貼片D2PAK封裝

　　MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封

　　TO-252,也就是貼片DPAK封裝；TO-263,也就是貼片D2PAK封裝；任何型號的命名都有它的規律性可循。例如：MBR20100CT,型號中就20100是阿拉伯數字，20100中，20是電流，100是電壓。以此類推。