靜電除塵高壓陶瓷電容器生產(chǎn)廠家多重優(yōu)惠 北京七星飛行

電容器在電源中的應(yīng)用之浪涌電壓保護(hù)

可靠性高，體積小，充放電壽命長，電壓高達(dá)150kV，放電電流大，介質(zhì)損耗＜0.1%。

開關(guān)頻率很高的現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響。跨接在功率半導(dǎo)體器件兩端的浪涌電壓保護(hù)電容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通過吸收電壓脈沖限制了峰值電壓，從而對半導(dǎo)體器件起到了保護(hù)作用，使得浪涌電壓保護(hù)電容器成為功率元件庫中的重要一員。半導(dǎo)體器件的額定電壓和電流值及其開關(guān)頻率左右著浪涌電壓保護(hù)電容器的選擇。工作可靠、靈敏度高、壽命長、功率損耗小、允許操作頻率高，并能適應(yīng)較嚴(yán)酷的工作環(huán)境，故在自動化機(jī)床和自動化生產(chǎn)線中得到越來越廣泛的應(yīng)用。由于這些電容器承受著很陡的DV/DT值，因此，對于這種應(yīng)用而言，薄膜電容器是恰當(dāng)之選。

在額定電壓值高達(dá)2000VDC的條件下，典型的電容額定值在470PF～47NF之間。對于大功率的半導(dǎo)體器件，如IGBT，電容值可高達(dá)2.2ΜF(xiàn)，電壓在1200VDC的范圍內(nèi)。不能僅根據(jù)電容值/電壓值來選擇電容器。在選擇浪涌電壓保護(hù)電容器時，還應(yīng)考慮所需的DV/DT值。用于MRI的新型無磁電容磁共振成像(MRI)設(shè)備內(nèi)部或周邊電路中所使用的電容及其他電子元器件需要屏蔽或封裝在MRI室外。耗散因子決定著電容器內(nèi)部的功率耗散。因此，應(yīng)選擇一個具有較低損耗因子的電容器作為替換。

高壓電容器預(yù)防故障的措施有哪些?

1)加強(qiáng)巡視、查看、維護(hù)并聯(lián)高壓陶瓷電容器應(yīng)定時停電查看，每個季度少1次，首要查看電容器殼體、瓷套管、裝置支架等部位是不是有積塵等污物存在，并進(jìn)行認(rèn)真地打掃。查看時應(yīng)特別注意各聯(lián)接點的聯(lián)接是不是結(jié)實，是不是松動;殼體是不是鼓肚、滲(漏)油等。此外，在過高的運(yùn)轉(zhuǎn)電壓效果之下，電容器內(nèi)部的絕緣介質(zhì)會發(fā)作部分老化，電壓越高，老化越快，壽命越短。若發(fā)現(xiàn)有以上現(xiàn)象呈現(xiàn)，有必要將電容器退出運(yùn)轉(zhuǎn)，妥善處理。

2)準(zhǔn)確選用投(切)開關(guān)斷開并聯(lián)高壓陶瓷電容器時，因為開關(guān)靜、動觸頭間的電弧效果，將會導(dǎo)致操作過電壓發(fā)作，除了請求將投(切)開關(guān)的容量選得比并聯(lián)電容器組的容量大35%擺布以外，還有必要是觸頭間絕緣康復(fù)強(qiáng)度高，電弧重燃性小，滅弧性能好的斷路器。電場的能的性質(zhì)表現(xiàn)為：當(dāng)電荷在電場中移動時，電場力對電荷做功（這說明電場具有能量）。

3)操控運(yùn)轉(zhuǎn)溫度在正常環(huán)境下，一般請求并聯(lián)電容器外殼熱門的溫度不得大于60℃，否則，須查明因素，進(jìn)行處理。

電容器在yiliao器械中選型及應(yīng)用

用于MRI的新型無磁電容

磁共振成像(MRI)設(shè)備內(nèi)部或周邊電路中所使用的電容及其他電子元器件需要屏蔽或封裝在MRI室外。電容的電介質(zhì)、電極材料或端接材料中可能含有鐵質(zhì)或磁性材料。為提高圖像分辨率，MRI系統(tǒng)的磁場水平不斷提高，而MRI室內(nèi)使用的電容會造成磁場畸變。其中最常見的是行程開關(guān)，它利用生產(chǎn)機(jī)械運(yùn)動部件的碰撞使其觸頭動作來實現(xiàn)接通或分?jǐn)嗫刂齐娐罚_(dá)到一定的控制目的。因此，需要減少或完全消除大部分電容中的磁性材料。

較新推出的系列MLCC在電極和端子結(jié)構(gòu)中采用非鐵材料，來滿足消除磁化的要求。無磁結(jié)構(gòu)可以采用X7R和NPO電介質(zhì)。外形尺寸為0402至1812，符合相關(guān)規(guī)格。感應(yīng)充電器需要具備高擊穿電壓(VBD)性能，同時，某些應(yīng)用中還需要防護(hù)高壓電弧放電。Vishay還在終測試時采用了專用電容分選設(shè)備，以確保所有無磁電容均能符合技術(shù)要求。