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化學氣相沉積工藝是這樣一種沉積工藝，被沉積物體和沉積元素（單元或多元）蒸發化合物置于反應室，當高溫氣流進入反應室時，可控制的反應室可使其發生一種合適的化學反應，導致被沉積物體的表面形成一種膜層，同時將反應產物及多余物從反應室蒸發排除。

鍍膜機工藝在防偽技能中的運用防偽膜品種許多，從運用辦法可分為反射式和透射式；從膜系附著辦法能夠分為直接鍍膜式、直接鍍膜式或直接鍍膜剪貼式。

氣相沉積是一種在基體表面形成功能膜層的技術，它是利用物質在氣相中產生的物理或(及)化學反應而在產品表面沉積單層或多層的、單質或化合物的膜層，從而使產品表面獲得所需的各種優異性能。

氣相沉積作為一種表面鍍膜方法，其基本步驟有需鍍物料氣相化->輸運->沉積。它的主要特點在于不管原來需鍍物料是固體、液體或氣體，在輸運時都要轉化成氣相形態進行遷移，終到達工件表面沉積凝聚成固相薄膜。

化學氣相沉積TiN

將經清洗、脫脂和氨氣還原處理后的模具工件，置于充滿H2（體積分數為99.99%）的反應器中，加熱到900-1100℃，通入N2（體積分數為99.99%）的同時，并帶入氣態TiCl4（質量分數不低于99.0%）到反應器中，則在工件表面上發生如下化學反應：

2TiCl4（氣） N2（氣） 4H2（氣）→2TiN（固） 8HCl（氣）

固態TiN沉積在模具表面上形成TiN涂層，厚度可達3-10μm，副產品HCl氣體則被吸收器排出。工藝參數的控制如下：

（1）氮氫比對TiN的影響

一般情況下，氮氫體積比VN2/VH2<1/2時，隨著N2的增加，TiN沉積速率增大，涂層顯微硬度增大；當VN2/VH2≈1/2時，沉積速率和硬度達到值；當VN2/VH2>1/2時，沉積速率和硬度逐漸下降。當VN2/VH2≈1/2時，所形成的TiN涂層均勻致密，晶粒細小，硬度，涂層成分接近于化學當量的TiN，而且與基體的結合牢固。因此，VN2/VH2要控制在1/2左右。