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不同PEDOT核殼分散體的制備總結

聚3,4-乙撐二氧s吩（PEDOT）由于其高導電性、低能隙、優異的薄膜透明性以及環境穩定性在抗靜電涂層、光電子器件、電容器、電磁屏蔽、傳感器、金屬防腐等領域具有廣闊的應用前景，然而其不溶問題限制了其應用。印刷方法制備了高導電的PEDOT:PSS/AgNW雜化透明薄膜。除了在單體水相聚合時加入聚by烯磺酸（PSS）制備PEDOT分散體外，許多研究者也開始探索其他方法，如制備PEDOT與其他物質的核殼分散體。本文將對主要幾種PEDOT核殼分散體的制備進行總結。

PEDOT薄膜對電極的成膜方法

染料敏化太陽能電池（DSSC）主要是模仿光合作用原理，研制出來的一種新型太陽電池，具有壽命長、結構簡單、生產成本較低、易于大規模工業化生產等優點，近年來取得了很大的進展。利用電化學陽極氧化方法制備了高度有序的TiO_2納米管陣列,采用旋涂方法在納米管表面制作一層聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)∶聚(b乙x磺酸)(PEDOT∶PSS)薄膜構建PEDOT∶PSS/TiO_2納米管肖特基結并研究了其紫外探測性能。DSSC的循環依靠對電極的作用才能及時地完成，因此對電極材料的選擇尤為關鍵。高分子導電聚合物聚3,4-乙撐二氧s吩（PEDOT）因其高導電性、對電解質的催化能力、透明性和柔性等特點受到廣泛關注，成為DSSC對電極材料研究的熱點。

考慮PEDOT:PSS材料本身的特性和硅表面結構光學管理后，硅與背金屬電極界面的接觸情況成為了制約電池效率提升的主要因素，硅/金屬的直接接觸會導致界面處形成肖特基勢壘，對電子傳輸的阻礙作用極大，同時界面處嚴重的復合造成了載流子的損失?；诖?，選用氧化鋅作為電子選擇性材料，將其用于界面處形成金屬-介質-半導體結構，并對氧化鋅進行Li摻雜調節其功函數進一步減小或消除界面勢壘。這些應用常常要求其在各種觸摸拉伸等應變下，能夠準確且可靠地探測到應變。另外，對硅表面通過本征非晶硅層鈍化，這樣既能鈍化硅又能改善電接觸。并結合硅金字塔陷光結構，終實現超過15%的電池轉換效率。

以玻碳電極（GCE）為基底電化學聚合制得聚3,4-乙烯二氧s吩（PEDOT）膜修飾電極，再通過Nafion共固定磷鉬酸和石墨烯構建了一種新型的無酶電化學H2O2傳感器. 利用掃描電子顯微鏡（SEM）表征制得的修飾電極，并通過循環伏安法和計時電流法研究了傳感器對H2O2的響應性能. 結果表明，在優化條件下，該傳感器對H2O2還原具有良好的電催化性能，檢測H2O2的線性范圍為2.91×10-6 ~ 1.83×10-2 mol?L-1，檢出限和靈敏度分別為9.90×10-7 mol?L-1（S/N = 3）和112.5 μA?（mmol?L-1）-1. 此外，該傳感器還具有良好的重現性和選擇性.