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KOAN 晶體采用不同大小激勵(lì)功率測(cè)試以提高穩(wěn)定性

弛豫效應(yīng)：加在晶片上的機(jī)械應(yīng)力隨時(shí)間的推移而松弛時(shí)，會(huì)引起頻率的漂移，因此要選擇合適的激勵(lì)功率，使晶片的自身應(yīng)力和電極施于晶片的應(yīng)力發(fā)生變化，應(yīng)力的變化又導(dǎo)致因應(yīng)力弛豫效應(yīng)引起的老化速率發(fā)生變化。第三個(gè)部分就是順序號(hào)了，一般是用阿拉伯?dāng)?shù)字來(lái)表示，可以很好的用來(lái)區(qū)分主要性能是怎么樣或者外形尺寸大小。另外，激勵(lì)功率變化，將引起晶片振幅的變化，從而改變晶片上質(zhì)量遷移引起的老化速率，可能抵消兩種老化速率。

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KOAN 晶體諧振器使用過(guò)程常見(jiàn)問(wèn)題介紹

晶體振蕩回路頻率不準(zhǔn)，溫度變化精度不準(zhǔn)，批量使用出現(xiàn)不起振的，工作一段時(shí)間出現(xiàn)不工作的現(xiàn)象，頻率不準(zhǔn)確超出出廠標(biāo)準(zhǔn)，造成通訊錯(cuò)誤，IC 通訊異常，以上情況都需要考慮晶體質(zhì)量可能出現(xiàn)問(wèn)題，需要交給供應(yīng)做質(zhì)量分析報(bào)告，如果確認(rèn)不是晶體質(zhì)量出現(xiàn)問(wèn)題，應(yīng)考慮晶體振蕩回路沒(méi)有匹配好，或者選型錯(cuò)誤，或者功率問(wèn)題。振蕩電路的工作頻率如果不在晶體諧振器標(biāo)稱頻率范圍內(nèi)，稱為“不規(guī)則振蕩”，調(diào)整阻尼電阻和外部負(fù)載電容，可以減少不規(guī)則振蕩發(fā)生的幾率。

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晶體諧振器的主要技術(shù)指標(biāo)介紹

標(biāo)稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的

頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對(duì)于標(biāo)稱頻率的偏差。

調(diào)整頻差：在特定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對(duì)于25℃時(shí)測(cè)量值的較大允許頻率偏差。

負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)（產(chǎn)生諧振）的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。