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性能氮化硅磚是以Si3N4為主要成分的特殊耐火材料制品

性能氮化硅磚是以Si3N4為主要成分的獨特耐火保溫材料產品。相對密度3.19g/cm3。1、氮化硅結合碳化硅制品，質地堅硬，莫氏硬度約為9，在非金屬材料中屬于硬度材料，僅次于金剛石。熱膨脹系數小，為2.53×10-6/℃。1200℃下導熱率18.4W/(m·K)。耐熱性好，1200～2000℃熱交換器上一千次不毀壞。抗折強度可達200~700MPa，耐空氣氧化溫度1400℃，在復原氛圍中可達1870℃。室內溫度電阻1.1×1014Ω·m。選用硅粉滲氮后煅燒或壓合方式制得。

氮化硅磚是指以氧化鎂(MgO)和三氧化二鉻(Cr2O3)為主

氮化硅磚就是指以氧化鎂(MgO)和三氧化二鉻(Cr2O3)為主要成分，方鎂石和尖晶石為關鍵礦物質成分的耐火保溫材料產品。這種磚耐火度高，高溫抗壓強度大，抗偏堿渣侵蝕性強，熱穩定性，對酸性渣也是有一定的適應能力。氮化硅（Si3N4）存有有3種結晶體構造，分別是α、β和γ三相。氣壓燒結氮化硅在1～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進行。制得方式氮化硅磚選用硅粉滲氮后煅燒或壓合方式制得。燒造氮化硅磚的生產工藝流程與鎂質磚大致差不多。以便清除磚在燒制全過程中因為MgO和Cr2O3、Al2O3或立即融合氮化硅磚。優勢氮化硅磚耐火度高，高溫抗壓強度大，抗偏堿渣侵蝕性強，熱穩定性，對酸性渣也是有一定的適應能力。運用用以航空公司、冶金工業、機械設備、半導體材料等工業生產中生產制造高溫滾動軸承、冶金工業鉗鍋、半導體材料地區冶煉舟器等。氮化硅是一種關鍵的構造結構陶瓷。它是一種超硬化學物質，自身具備潤濕性，而且抗磨損，為原子晶體；高溫時。并且它還能抵御熱冷沖擊性，在空氣中加溫到1000℃之上，大幅度制冷再大幅度加溫，也不會。

相對分子質量140.28。灰色、白色或灰白色。屬高溫難溶化合物，無熔點，抗高溫蠕變能力強，不含粘結劑的反應燒結氮化硅負荷軟化點在1800℃以上；六方晶系。晶體呈六面體。反應燒結法制得的Si3N4密度為1.8~2.7g/cm3，熱壓法制得Si3N4密度為3.12~3.22g/cm3。莫氏硬度9~9.5，維氏硬度約為2200，顯微硬度為32630MPa。碳化硅制品大部分都是黑色的，在窯爐上使用以后，由于出現氧化情況，表皮會呈現發白的氧化層，有些氧化嚴重的碳化硅制品砸開以后，斷面已經看不出碳化硅顆粒了，整個斷面都是灰色或者黃色，有些還會出現紅色的現象。熔點1900℃（加壓下）。通常在常壓下1900℃左右分解。比熱容0.71J/(g·K)。生成熱為-751.57kJ/mol。熱導率為（2-155）W/(m·K)。線膨脹系數為2.8~3.2×10-6/℃(20~1000℃)。不溶于水。溶于。在空氣中開始氧化的溫度1300~1400℃。比體積電阻，20℃時為1.4×105 ·m,500℃時為4×108 ·m。彈性模量為28420~46060MPa。耐壓強度為490MPa（反應燒結的）。1285℃時與二氮化二鈣反應生成二氮硅化鈣，600℃時使過渡金屬還原，放出氮氧化物。抗彎強度為147MPa。可由硅粉在氮氣中加熱或鹵化硅與氨反應而制得。電阻率在10^15-10^16Ω.cm。可用作高溫陶瓷原料。