軌道交通用IGBT測試儀價格近期行情「華科智源」

IGBT動態參數測試系統技術要求

1、設備概述

該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態參數測試，以表征器件的動態特性，通過測試夾具的連接，實現模塊的動態參數測試。

2、需提供設備操作手冊、維修手冊、零部件清單、基礎圖、設備總圖、部件裝配圖、電氣原理圖、全機潤滑系統圖、電氣接線用、計算機控制程序軟件及其他必要的技術文件，設備有通訊模塊必須提供通訊協議及其他必要的技術文件，所有資料必須準備（正本、副本）各一份，電子版一份；功率元件由于經常有大電流往復的沖擊，對半導體結構均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經常在其安全工作區的邊緣，更會加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問題。（正本、副本）技術資料，應至少有一份采用中文，另一份技術資料可以是英文或中文。

主要參數 測試范圍 精度要求 測試條件

Vce

集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

開通/關斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降時間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

開通/關斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

4驗收和測試 3)驗收試驗應在-10～40℃環境溫度下進行，驗收完成后測試平臺及外部組件和裝置均應安裝在買方的位置上。 4)測試單元發貨到買方前，賣方應進行出廠試驗。賣方出廠試驗詳細方案應提前提交買方評估，通過買方評估合格后實施方可視為有效試驗。否則，需按買方提出的修改意見重新制定出廠試驗方案，直至買方評估合格。華科智源IGBT測試儀針對IGBT的各種靜態參數而研制的智能測試系統。

7質量保證要求 ?賣方應通過ISO 9001質量論證。 ?賣方所提供的元件，必須是經過檢驗合格的器件，否則，買方有權拒付貨款。 ?買方有權要求賣方委托第三方進行有關參數的測試，以確保出廠測試的參數真實有效。 ?在調試期間發現元件有缺陷或受到損壞，應由賣方負責免費更換并予以賠償。 ?賣方所提供的元件，必須是經過檢驗合格的器件，否則，買方有權拒付貨款。賣方由于自身原因而延遲交貨時，買方有權按商務規定方法向賣方收取罰款。 ?賣方對技術規范保證數據的有效性及交貨保質期等應由雙方協商確定并簽署在合同中。