可通過測量霍爾元件的電壓變化得到待測微壓差ΔP。圖1霍爾式磁性液體微壓差傳感器結構示意圖Fig．傳感器改進部分的模型如圖2所示。將霍爾元件固定在環(huán)形支架上，通過滑動支架可以改變霍爾元件測量位置，增加了傳感器測量范圍。環(huán)形支架的凹槽處放置霍爾元件，兩個環(huán)形支架可以在滑軌上滑動，通過調節(jié)兩個環(huán)形支架間距，可以改變傳感器的測量量程。
設計合成了膽固醇修飾的環(huán)糊精衍生物(CD—CHOL)以及偶氮苯修飾的聚化合物(PAA—Azo),通過氣液界面組裝成功制備了Langmuir膜,由表面壓-分子面積等溫線表征界面鋪展行為,采用原子力顯微鏡(AFM)對單層Langmuir膜的形貌進行了表征,進一步通過紫外光譜、圓二色譜、紅外光譜、X射線光電子能譜研究組裝膜中環(huán)糊精與偶氮團的自組裝過程與主客體識別機理。
要通過控制主要原料硅砂的粒度范圍來研究高應變點玻璃的熔制特性。通過金相顯微鏡和場發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)分別測試樣品中的氣泡大小、成分的均勻性。通過對不同粒度硅砂配合料進行熔制過程的高溫觀察分析(HTO),探討硅砂的不同粒度對高應變點玻璃熔制行為和澄清時間的影響。研究結果表明,當硅砂粒度控制在100~150目時,樣品的氣泡含量少,成分較為均勻,熔制、澄清時間較短。
當硅砂粒度控制在150～230目時，熔制時間雖比100～150目的樣品短，殘留未熔物較少，但微氣泡大幅增加，澄清時間大幅延長，玻璃均勻性也比100～150目的樣品差。因此，對高應變點玻璃的熔制而言，100～150目的硅砂更有利于制備出高質量的高應變點玻璃基板。圖7不同粒度硅砂配合料的氣泡個澄清效果的影響-數(shù)控滾圓機滾弧機折彎機張家港倒角機液壓滾圓機滾弧機折彎機倒角機
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發(fā)布時間：2021-06-15 03:22
