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              發(fā)布時間:2021-07-28 14:04  

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              鍍膜技術在集成電路制造中的應用 晶體管路中的保護層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶硅、鋁、銅及其合金)等多是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發(fā)金屬技術、磁控濺射技術和射頻濺射技術。可見氣相沉積術制備集成電路的核心技術之一。


              真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空離子蒸發(fā),磁控濺射,MBE分子束外延,PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

              需要鍍膜的被稱為基片,鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。





              真空鍍膜的操作規(guī)程

              1.在真空鍍膜機運轉正常情況下,開動真空鍍膜機時,須先開水管,工作中應注意水壓。

              2.在離子轟擊和蒸發(fā)時,應特別注意高壓電線接頭,不得觸動,以防觸電。

              3.在用電子槍鍍膜時,應在鐘罩外圍上鋁板。觀察窗的玻璃用鉛玻璃。

              4.鍍制多層介質膜的鍍膜間,應安裝通風吸塵裝置,及時排除有害粉塵。

              5.有毒物品要妥善保管,以防。

              6.酸洗夾具應在通風裝置內進行,并要戴橡皮手套。

              7.把零件放入酸洗或堿洗槽中時,應輕拿輕放,不得碰撞及濺出。平時酸洗槽盆應加蓋。

              8.工作完畢應斷電、斷水。



              真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空離子蒸發(fā),磁控濺射,MBE分子束外延,PLD激光濺射沉積等很多種。

              在鍍膜領域,鍍膜后薄膜樣品的厚度是影響薄膜性能的一個重要因素。因此,當評價薄膜樣品的性能時,需要檢測該薄膜樣品不同厚度下的性能。對于真空鍍膜的情形,這往往需要進行多次試樣的制備。