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模塊電源輸出電壓過高會(huì)怎樣？

這種方式比較危險(xiǎn)，它可以燒毀應(yīng)用電路，一般通過過壓保護(hù)電路來實(shí)現(xiàn)過壓保護(hù)，另外也可以在輸出端加穩(wěn)壓二極管來實(shí)現(xiàn)。設(shè)計(jì)時(shí)要合理選擇二極管的參數(shù)，防止由于溫度不同造成穩(wěn)壓點(diǎn)的變化。分立式PWMIC與MOS是分開的，這種優(yōu)點(diǎn)是功率可以自由搭配，缺點(diǎn)是設(shè)計(jì)和調(diào)試的周期會(huì)變長。有些模塊本身自帶過壓保護(hù)。一般來講，25W以下模塊無過壓保護(hù)功能，25W以上模塊內(nèi)部設(shè)計(jì)有過壓保護(hù)電路。過壓保護(hù)點(diǎn)一般設(shè)計(jì)為135%--145%額定電壓。詳細(xì)設(shè)計(jì)時(shí)要確認(rèn)模塊是否具有這些功能，以免重復(fù)設(shè)計(jì)。

開關(guān)電源調(diào)試?啟動(dòng)后不能加重載

原因及解決辦法：

1)Vcc在重載時(shí)過高

重載時(shí)，Vcc繞組感應(yīng)電壓較高，使Vcc過高并達(dá)到IC的OVP點(diǎn)時(shí)，將觸發(fā)IC的過壓保護(hù)，引起無輸出。如果電壓進(jìn)一步升高，超過IC的承受能力，IC將會(huì)損壞。

2)內(nèi)部限流被觸發(fā)

a.限流點(diǎn)太低

重載、容性負(fù)載時(shí)，如果限流點(diǎn)太低，流過MOSFET的電流被限制而不足，使得輸出不足。解決辦法是增大限流腳電阻，提高限流點(diǎn)。

b.電流上升斜率太大

上升斜率太大，電流的峰值會(huì)更大，容易觸發(fā)內(nèi)部限流保護(hù)。解決辦法是在不使變壓器飽和的前提下提高感量。

模塊電源設(shè)計(jì)時(shí)如何確定功率

確定功率

根據(jù)具體要求來選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如隔離開關(guān)電源模塊一般選擇反激式基本上可以滿足要求。

選擇相應(yīng)的PWMIC和MOS來進(jìn)行初步的電路原理圖設(shè)計(jì)

當(dāng)我們確定用反激式拓?fù)溥M(jìn)行設(shè)計(jì)以后，我們需要選擇相應(yīng)的PWMIC和MOS來進(jìn)行初步的電路原理圖設(shè)計(jì)，可選擇分立式或是集成式設(shè)計(jì)。憑借豐富的市場營銷經(jīng)驗(yàn)、企業(yè)戰(zhàn)略管理和人才優(yōu)勢，不斷探索前行，致力于推進(jìn)電源行業(yè)的健康發(fā)展。分立式PWMIC與MOS是分開的，這種優(yōu)點(diǎn)是功率可以自由搭配，缺點(diǎn)是設(shè)計(jì)和調(diào)試的周期會(huì)變長。集成式PWMIC與MOS集成在一個(gè)封裝里，省去設(shè)計(jì)者很多的計(jì)算和調(diào)試分步，適合剛?cè)腴T或快速開發(fā)的工程師。

為何使用開關(guān)模式電源？

顯然是效率好。在SMPS中，晶體管在開關(guān)模式而非線性模式下運(yùn)行。（1）示波器帶寬限制為20MHz(多數(shù)中低端示波器檔位限制為20MHz，高a端產(chǎn)品還可選擇200MHz帶寬限制)，目的在于避免數(shù)字電路高頻噪聲影響紋波測量，盡量保證測量精度。這意味著，當(dāng)晶體管導(dǎo)通并傳導(dǎo)電流時(shí)，電源路徑上的壓降小。當(dāng)晶體管關(guān)斷并阻止高電壓時(shí)，電源路徑中幾乎沒有電流。因此，半導(dǎo)體晶體管就像一個(gè)理想的開關(guān)。晶體管中的功率損耗可減至很小。

效率好、低功耗和高功率密度（小尺寸）是設(shè)計(jì)人員使用SMPS而不是線性穩(wěn)壓器或LDO的主要原因，特別是在高電流應(yīng)用中。開關(guān)電源比線性電源會(huì)產(chǎn)生更多的干擾，對共模干擾敏感的用電設(shè)備，應(yīng)采取接地和屏蔽措施，按ICE1000、EN61000、FCC等EMC限制，開關(guān)電源均采取EMC電磁兼容措施，因此開關(guān)電源一般應(yīng)帶有EMC電磁兼容濾波器。例如，如今12VIN、3.3VOUT開關(guān)模式同步降z壓電源通常可實(shí)現(xiàn)90%以上的效率，而線性穩(wěn)壓器的效率不到27.5%。這意味著功率損耗或尺寸至少減小了8倍。