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發布時間：2021-08-28 13:49
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IGBT模塊在使用時的損壞原因
IGBT在使用過程中經常受到容性或感性負載的沖擊，承受過負荷甚至負載短路等，可能導致IGBT損壞。IGBT模塊在使用時的損壞原因主要有以下情況——過電壓損壞和靜電損壞
IGBT在關斷時，由于逆變電路中存在電感成分，關斷瞬間產生尖峰電壓，如果尖峰電壓超過IGBT器件的1高峰值電壓，將造成IGBT擊穿損壞。IGBT過電壓損壞可分為集電極-柵極過電壓、柵極-發射極過電壓、高du/dt過壓電等。因此我們需要定期檢查Blastshield，如果發現它臟了,需要用擦鏡紙蘸無水酒精清潔。大多數過電壓保護的電路設計都比較完善，但是對于由高du/dt所導致的過電壓故障，基本上都是采用無感電容或者RCD結構吸收電路。由于吸收電路設計的吸收容量不夠而造成IGBT損壞，對此可采用電壓鉗位，往往在集電極-柵極兩端并接齊納二極管，采用柵極電壓動態控制，當集電極電壓瞬間超過齊納二極管的鉗位電壓時，超出的電壓將疊加在柵極上（米勒效應起作用），避免了IGBT因受集電極發射極過電壓而損壞。
采用柵極電壓動態控制可以解決過高的du/dt帶來的集電極發射極瞬間過電壓問題，但是它的弊端是當IGBT處于感性負載運行時，半橋結構中處于關斷的IGBT，由于其反并聯二極管（續流二極管）的恢復，其集電極-發射極兩端的電壓急劇上升，從而承受瞬間很高的du/dt。多數情況下，該du/dt值要比IGBT正常關斷時的集電極-發射極電壓上升率高，由于米勒電容( Cres)的存在，該du/dt值將在集電極和柵極之間產生一個瞬間電流，流向柵極驅動電路。彎曲損耗：是光纖軸彎曲所引起的損耗，任何肉眼可見的光纖軸線對于直線的偏移為彎曲和宏彎曲損耗。該電流與柵極電路的阻抗相互作用，直接導致柵極-發射極電壓UGE值的升高，甚至超過IGBT的開通門限電壓UGE(th)值。出現惡劣的情況就是使IGBT被誤觸發導通，導致變換器的橋臂短路。
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維修服務：鈥激光維修、鈥激光租賃、鈥激光光纖
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科醫人鈥激光(Holmium Laser)設備工作要求使用注意事項
一. 設備工作條件
1) 電源要求
大功率鈥激光 (含VersaPulse Powersuite 60w,80/100w,100w,100wPlus)32A 220VAC 50/60Hz 單相交流電
小功率鈥激光 (含VersaPulse Powersuite 20W)
16A 220VAC 50/60Hz 單相交流電
2) 環境要求
手術室保持恒定室溫, 20~25oC。
溫度過高會直接影響機器制冷系統的冷卻效率,導致激光能量輸出衰減；
溫度過低會導致在光學元件的表面凝結水珠,影響或損壞光學元件(鏡片)
手術室內的濕度保持在40~60%；
手術室內禁止有揮發物殘留；
使用機器時在機器的兩側要保留一定空間,便于排風制冷。
廣州欣貝科技有限公司是一家專業鈥激光維修第三方服務商。
欣貝—普東光電鈥激光維修/鈥激光維修手冊
設備名稱：普東鈥激光
故障現象：鈥激光設備在工作中無法使用大功率，導致工作時間延長。
檢測結果：我方工程師現場排查發現是電源故障，導致只能單路工作。
解決方案：更換配件，開機試機，一次通過！
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鈥激光在光纖中的損耗
1.吸收損耗：由于光纖材料本身和雜志對光能的吸收而引起，把光能以熱能的形式消耗與光纖中，是材料固有的，不能消除。
2.散射損耗：由于材料分子以及材料結構的不均勻折射率產生不均勻而引起的散射，這種散射是材料固有的不能消除。
3.結構不規則損耗：由于纖芯包層界面上存在著微小結構波動和光纖內部波導結構不均勻而引起的，同樣不能消除。
4.彎曲損耗：是光纖軸彎曲所引起的損耗，任何肉眼可見的光纖軸線對于直線的偏移為彎曲和宏彎曲損耗；這種損耗隨曲率半徑的減少按指數規律增大。
