RR5光刻膠報價貨源充足「賽米萊德」

北京賽米萊德貿易有限公司供應美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，NR9i-3000PY有下面的優勢： 1. 比較高的光刻速度，可以定制光刻速度來曝光產量 2. 比較高的分辨率和快的顯影時間 3. 根據曝光能量可以比較容易的調整側壁角度 4. 耐溫可以達到100攝氏度 5. 用RR5去膠液可以很容易的去膠 NR9-3000PY的制作和工藝是根據職業和環境的安全而設計。據中國產業信息網數據，2015年，PCB光刻膠、LCD光刻膠和半導體光刻膠的國際市場增速均在5%左右。

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三、光刻膠涂覆（Photoresist Coating）

光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前，先在900-1100度濕氧化。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學反應而形成耐蝕性的特點，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。作為光刻工藝自身的首先過程，一薄層的對紫外光敏感的有機高分子化合物，即通常所說的光刻膠，要涂在樣品表面(SiO2)。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機中的樣品表面，(由真空負壓將樣品固定在樣品臺上)，樣品然后高速旋轉，轉速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下，膠在離心力的作用下向邊緣流動。

涂膠工序是圖形轉換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復性和接下去的顯影時間，同一個樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應超過±5nm(對于1.5um膠厚為±0.3%)。

光刻膠的目標厚度的確定主要考慮膠自身的化學特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細程度。太厚膠會導致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。從對準信號上分，主要包括標記的顯微圖像對準、基于光強信息的對準和基于相位信息對準。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間，而對于特殊微結構制造，膠厚度有時希望1cm量級。在后者，旋轉涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規光刻膠涂布工序的優化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉速、環境溫度和濕度等，這些因素的穩定性很重要。

在工藝發展的早期，負膠一直在光刻工藝中占主導地位，隨著VLSI IC和2～5微米圖形尺寸的出現，負膠已不能滿足要求。隨后出現了正膠，但正膠的缺點是粘結能力差。

用正膠需要改變掩膜版的極性，這并不是簡單的圖形翻轉。按照曝光波長分類，光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13。因為用掩膜版和兩種不同光刻膠結合，在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的，由于光在圖形周圍的衍射效應，使得用負膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。用正膠和暗場掩膜版組合會使光刻膠層上的圖形尺寸變大。

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光刻膠存儲條件及操作防護

光刻膠是一種可燃液體，儲存條件應符合對應的法規，不要與強氧化劑混合，存放在通風良好的地方，保持容器密閉，避免吸入蒸汽或霧氣，避免接觸眼睛、皮膚或衣服，操作后徹底清洗。

個人防護

眼睛：佩戴化學飛濺護目鏡。

皮膚：戴上適當的防護手套防止皮膚暴露。

服裝：穿戴合適的防護服防止皮膚暴露。

呼吸器：無論何時在工作環境下呼吸保護必須遵循中國職業安全健康管理局標準的規定和ANSI美國國家標準學會Z88.2的相關要求，或必須執行歐洲呼吸防護EN 149的標準。