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發(fā)布時間:2021-08-11 21:14  
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熱釋光劑量片概述
1、重復性:LiF:Mg,Cu,P探測器的重復性能隨使用次數(shù)的增加趨于更加穩(wěn)定,一般均在上百次以上;
2、線性:LiF:Mg,Cu,P探測器線性范圍為10-7~30Gy;
3、長期穩(wěn)定性:在環(huán)境溫度低于40℃的環(huán)境下,累積劑量信息的減退在3-6個月內(nèi)可以忽賂不計,若環(huán)境溫度≥50℃時,則其劑量信息的減退約為(3-5)%/月。
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你對熱釋光劑量片了解多少?
對中子的響應:對重粒子所致吸收劑量的響應有LET依賴性,這有利于差出n、γ混合場中γ成分。
貯存信息的穩(wěn)定性:室溫下存放一個月無明顯減退,在50℃下存放一個月會減退約3%。
光照效應:對室內(nèi)散射日光、白熾燈光、熒光燈無明顯響應;對直射日光(紫外光)有響應
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熱釋光探測器的依據(jù)標準
熱釋光探測器的基本依據(jù)是某些材料的晶體受輻射照射后具有能量累積儲存作用。當加熱到一定溫度時又以發(fā)光的形式釋放能量,而且與受照射劑量成正比關系。
當磷光體(晶體)受到電離輻照時,射線與晶體相互作用,產(chǎn)生電離和激發(fā),使晶體價帶中的電子獲得足夠的能量游離出來,上升到導帶,在價帶中剩下空穴。被電離激發(fā)的電子空穴在亞穩(wěn)態(tài)能級分別被晶體中的缺陷所俘獲(激發(fā)),這些缺陷稱為“陷阱”(俘獲電子的缺陷)或“中心”(俘獲空穴的缺陷),統(tǒng)稱為“發(fā)光中心”。處于亞穩(wěn)態(tài)能級上的電子和空穴在無外源激發(fā)的環(huán)境下,可以長時間滯留在缺陷中。隨著時間的積累,輻射劑量增加,被缺陷俘獲的受電離激發(fā)的電子和空穴數(shù)量增加,所以在線性劑量范圍內(nèi)磷光體熱釋光的強度與所接受的輻射劑量成正比。熱釋光劑量片的應用領域對放射性輻射的個人劑量、事故劑量、皮膚劑量和環(huán)境劑量的自動化測量。
當加熱磷光體時,電子和空穴從發(fā)光中心中逸出,電子和空穴快速復合,或游弋經(jīng)導帶后與禁帶中的空穴復合。在上述幾種復合過程中,都以可見光或紫外光的形式釋放能量,這種現(xiàn)象稱為熱釋光。
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熱釋光探測器的優(yōu)勢
在室溫下工作,不需制冷即能獲得很高的靈敏度,可與低溫下高靈敏度的測輻射熱計相媲美。輸出阻抗是純電容性的,直流阻抗極高。體積小、重量輕、堅固。因此,熱釋光探測器是一種很理想的紅外輻射探測器,在熱探測領域中占有十分重要的位置。
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