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發(fā)布時間：2021-09-21 11:39
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電池片的檢驗
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九、崩邊、豁口、掉角
充電電池邊沿崩邊喝豁口
A級：其長短≤3mm，深度1≤0.5mm，總數(shù)≤2處
B級：其長短≤5mm，深度1≤1.0mm，總數(shù)≤3處
四邊豁口
A級：規(guī)格≤1.5*1.5mm，總數(shù)≤1處
B級：規(guī)格≤2.0*2.0mm，總數(shù)≤1處
注：多晶硅A級和B級均不容許有三邊形豁口和銳利行豁口，左右豁口都不能過電級(主柵線，副柵線)
超出B級范疇
多晶硅電池片超出了B級范疇，就立即做為缺點片。
多晶電池片超出了B級范疇，如合乎C級需切角片的規(guī)定，能作C級需切角片多
經(jīng)容許邊緣有豁口（包含三邊形豁口和銳利行豁口），對邊緣豁口聽規(guī)定給出
125任意邊緣破損≤18*18mm
150任意邊緣破損≤8*8mm
156任意邊緣破損≤14*14mm注：多晶電池片超過了C級片的規(guī)定，做為缺點片。徹底粉碎，無運用使用價值的做為報費片新的規(guī)范與舊的同樣。
電池片的制作工藝
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PECVD
PE 目的
在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。
其化學反應可以簡單寫成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。
基本 原理
PECVD 技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經(jīng)一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 PECVD 方法區(qū)別于其它 CVD 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學基團，因而顯著降低 CVD 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進行的 CVD 過程得以在低溫下實現(xiàn)。
基本特征
1. 薄膜沉積工藝的低溫化（ < 450 ℃ ）。
2. 節(jié)省能源，降低成本。
3. 提高產(chǎn)能。
4. 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減。
擴散方式
PE 設備有兩類：平板式和管式。
按反應方式分為：直接式（島津）和間接式（ Roth ＆ Rau ）。
直接式：基片位于一個電極上，直接接觸等離子體。
間接式：基片不接觸激發(fā)電極。 在微波激發(fā)等離子的設備里，等離子產(chǎn)生在反應腔之外，然后由石英管導入反應腔中。在這種設備里微波只激發(fā) NH3 ，而 SiH4 直接進入反應腔。間接 PECVD 的沉積速率比直接的要高很多，這對大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。
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7、迅速煅燒
歷經(jīng)油墨印刷后的硅片，不可以立即應用，須經(jīng)燒結爐迅速煅燒，將有機化學環(huán)氧樹脂黏合劑點燃掉，剩余基本上純碎的、因為玻璃質(zhì)功效而密合在硅片上的銀電級。當銀電級和結晶硅在溫度超過共晶溫度時，結晶硅分子以必須的占比融進到熔化的銀金屬電極中來，進而產(chǎn)生上下左右電級的歐姆接觸，提升電池片的開路電壓和填充因子2個重要主要參數(shù)，使其具備電阻器特點，以提升電池片的變換。燒結爐分成預煅燒、煅燒、減溫水冷卻3個環(huán)節(jié)。預煅燒環(huán)節(jié)目地是使料漿中的高分子材料黏合劑溶解、點燃掉，此環(huán)節(jié)溫度漸漸地升高；煅燒環(huán)節(jié)中煅燒身體進行各種各樣物理學反映，產(chǎn)生電阻器膜結構工程，使其真實具備電阻器特點，該環(huán)節(jié)溫度超過谷值；減溫水冷卻環(huán)節(jié)，夾層玻璃水冷卻硬底化并凝結，使電阻器膜結構工程固定不動地黏附于基片上。
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