NR9 3000P光刻膠公司詢問報價「賽米萊德」

光刻膠介紹

光刻膠介紹

光刻膠(又稱光致抗蝕劑)，是指通過紫外光、準分子激光、電子束、離子束、x射線等光源的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕刻材料。光刻膠具有光化學敏感性，其經過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設計好的微細圖形從掩膜版轉移到待加工基片。因此光刻膠微細加工技術中的關鍵性化工材料，被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作。目前，半導體市場上主要使用的光刻膠包括g線、i線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。生產光刻膠的原料包括光引發劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體和其他助劑等。

光刻膠的應用

光刻膠的應用

       1975年，美國的國際半導體設備與材料協會首先為微電子工業配套的超凈高純化學品制定了國際統一標準——SEMI標準。1978年，德國的伊默克公司也制定了MOS標準。兩種標準對超凈高純化學品中金屬雜質和(塵埃)微粒的要求各有側重，分別適用于不同級別IC的制作要求。光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導體制造中最核心的工藝。其中，SEMI標準更早取得世界范圍內的普遍認可。

美國Futurrex的光刻膠

北京賽米萊德貿易有限公司供應美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，此款負膠的設計適用于比較寬的波長范圍和i線（366納米）曝光工具。當顯影后顯示出負的側壁角度，是lift-off工藝中比較簡易的光刻膠。和其他膠相比NR9i-3000PY有下面的優勢： 1. 比較高的光刻速度，可以定制光刻速度來曝光產量 2. 比較高的分辨率和快的顯影時間 3. 根據曝光能量可以比較容易的調整側壁角度 4. 耐溫可以達到100攝氏度 5. 用RR5去膠液可以很容易的去膠 NR9-3000PY的制作和工藝是根據職業和環境的安全而設計。主要的溶劑是，NR9-3000PY的顯影在水溶液里完成。為了提高曝光系統分辨率的性能，Futurrex的光刻膠正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術。屬固含量（%）：31-35 主要溶劑： 外觀： 淺液體涂敷能：均勻的無條紋涂敷 100攝氏度熱板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度 40秒自旋。

全球市場

目前，光刻膠單一產品市場規模與海外巨頭公司營收規模相比較小，光刻膠僅為大型材料廠商的子業務。但由于光刻膠技術門檻高，就某一光刻膠子行業而言，僅有少數幾家供應商有產品供應。

由于光刻膠產品技術要求較高，中國光刻膠市場基本由外資企業占據，國內企業市場份額不足40%，高分辨率的KrF和ArF光刻膠，其核心技術基本被日本和美國企業所壟斷，產品也基本出自日本和美國公司，包括陶氏化學、JSR株式會社、信越化學、東京應化工業、Fujifilm，以及韓國東進等企業。光刻膠國內的研發起步較晚光刻膠的研發，關鍵在于其成分復雜、工藝技術難以掌握。

而細化到半導體用光刻膠市場，國內企業份額不足30%，與國際水平存在較大差距。超過80%市場份額掌握在日本住友、TOK、美國陶氏、美國futurrex等公司手中，國內公司中，蘇州瑞紅與北京科華實現了部分品種的國產化，但是整體技術水平較低，僅能進入8英寸集成電路生產線與LED等產線。以半導體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。