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              封裝用IGBT測(cè)試儀加工產(chǎn)品介紹 華科半導(dǎo)體測(cè)試儀

              發(fā)布時(shí)間:2020-09-10 05:28  

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              (3)設(shè)備的功能特點(diǎn) 1)各種數(shù)據(jù)以圖形方式在檢測(cè)時(shí)實(shí)時(shí)顯示與記錄。數(shù)據(jù)采集后,后臺(tái)軟件自動(dòng)及時(shí)繪出相應(yīng)圖表,以方便現(xiàn)場(chǎng)判斷使用。 2)具有大容量的數(shù)據(jù)采集能力。測(cè)試數(shù)據(jù)直接進(jìn)入控制電腦,這樣使得采集數(shù)據(jù)的容量為無(wú)限大。4 硬件模塊 設(shè)備硬件部分應(yīng)包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線纜,測(cè)試夾具、控制電腦等 * 1。 3)具有內(nèi)置的專(zhuān)家軟件,幫助提供自動(dòng)判斷。 4)具有方便的歷史數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及檢索功能。


              5、感性負(fù)載

              5.1 有效電感 L 100 200 500 1000 μH;

              5.2 電流 Ic 1000 1000 1000 500 A;

              外部電感成陣列的內(nèi)部連接。(外部電感的H值傳給PC,以計(jì)算電流源的極限,限制脈寬到1000us)。

              6、標(biāo)準(zhǔn)的雙控制極驅(qū)動(dòng)

              6.1 門(mén)極電阻可人工預(yù)先設(shè)定如:2.5Ω,5Ω,10Ω等;

              6.2 開(kāi)啟(Trun-ON)輸出電壓 Vge : 15V;

              6.3 關(guān)斷(Trun-ON)輸出電壓 Vge- : -15V;

              6.4 脈寬: 10 ~ 1000us (單脈沖、雙脈沖總時(shí)間);

              6.5 電壓開(kāi)關(guān)時(shí)間: < 50ns;

              6.6 輸出內(nèi)阻: < 0.5Ω;


              安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感

              ?電感量 1mH 、10mH、50mH、100mH

              ?電流 通過(guò)選擇不同檔位電感,滿足0~200A電流輸出需求(10ms)

              ?瞬態(tài)電壓 大于10kV

              ?負(fù)載電感 配備自動(dòng)切換開(kāi)關(guān),可分別接通不同電感值,由計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)接通;自動(dòng)切換開(kāi)關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。

              5)補(bǔ)充充電回路限流電感

              限制充電回路中的di/dt。

              ?電感量 100μH

              ?電流能力 6000A (5ms)

              ?瞬時(shí)耐壓 10kV

              ?工作溫度室溫~40℃

              ?工作濕度 <70%