南山區鏡片批發廠家直供【延銘標牌】

蝕刻標牌

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金屬標牌蝕刻突破瓶頸的新模式

　金屬標牌蝕刻是一種全新的蝕刻工藝，標牌顧名思義大家都知道是什么，金屬標牌所選用的材料一般為鋁、銅、不銹鋼板。標牌的圖紋腐蝕深度要求達到0．6mm左右，而且腐蝕部分不能太光亮，與基體板材形成對比反差，使具有一定的金屬質感和裝飾藝術感。而鋁所選用的鋁版一般為拉絲鋁板，擁有精致的線條紋路，使印刷出來的鋁牌顯得十分的精巧、美觀。而輕，柔，美就是鋁牌的特點。這種鋁表面還有一層保護膜保護好鋁牌不被刮花。蝕刻就是在它的上面進行加工，一起來看看金屬標牌蝕刻突破瓶頸的模式吧！

突破性的蝕刻技術實現原子級的蝕刻精準性，從而推動摩爾定律發展；隨著芯片結構日益精細，選擇性工藝可在不損傷芯片的前提下清除不需要的材料；該系統已獲得芯片制造商青睞，用于生產先進FinFET和存儲芯片生產先進芯片的一個重要壁壘是在一個多層結構芯片中有選擇性地清除某一特定材料，而不破壞其他材料是我們在蝕刻領域中的又一大創新，豐富了我們的差異化產品線，通過實現選擇性清除工藝，推動了摩爾定律發展，創造了新的市場機遇。對于加熱固化型的涂料，還需要用熱吹風機對修補部分局部固化，以便與整體涂層一致。

隨著先進微型芯片的結構日益復雜，其深而窄的溝槽為芯片制造帶來了全新的挑戰，例如濕性化學成分無法穿透微小結構，或是無法在不損傷芯片的前提下清除不需要的物質。減少污染的問題銅對水的污染是印制電路生產中普遍存在的問題﹐而氨堿蝕刻液的使用更加重了這個問題。Selectra系統的革命性工藝可進入極狹小的空間，從而實現的選擇性材料清除和原子級的蝕刻精準性，適用于各類電介質、金屬和半導體薄膜。其廣泛的工藝范圍以及控制無殘留物和無損傷材料清除的能力，顯著擴大了蝕刻技術的應用范圍，可用于圖案化、邏輯、代工、3DNAND及DRAM等關鍵蝕刻應用。憑借Selectra系統的豐富功能，芯片制造商能夠生產出先進的3D設備，并探索新的芯片結構、材料和集成技術。

化學蝕刻（Chemical etching）-- 氣態物質（中性原子團）與表面反應， 產物必定易揮發，也稱為等離子蝕刻。 等離子增強蝕刻(Ion-enhanced etching)—單獨使用中性原子團不能形成易揮發產物，具有一定 能量的離子改變襯底或產物；具有一定能量的離子改變襯底或產物層，這樣，化學反應以后 能生成揮發性物質，亦稱為反應離子蝕刻（RIE） 。為了生產獲利，最快的渠道是花點錢到擁有成熟技術的地方學習現成技術，學了就能用起來。 濺射蝕刻（Sputter etching）--具有一定能量的離子機械的濺射襯底材料。 蝕刻速率（Etch rate）--材料的剝離速率，通常以?/min，?/sec，nm/min, um/min 為單位計 量。 各向同性蝕刻（ Isotropic etch）-- 蝕刻速率在所有方向都是相同的。

六、酸/堿體積比的檢驗方法： 開機運行到設定溫度后(約 15~20 分鐘),測試酸液及堿液的體積比,在規定范圍內方可進行生產。(三)制作工藝條件及具體操作1．除油脫脂不銹鋼板表面由于加工、運輸或儲存的原因，遺留有不同程度的油污，必須要徹底清除，否則會直接影響保護涂層與板材表面的結合力。 1．酸液 1）新配酸液和使用過的酸液的測定 a.將酸液稀釋 用吸量管吸取 10ml 酸液，放入 100ml 容量瓶中，然后加入純水至刻度處，蓋好玻璃塞，搖勻備用； b.測定酸液當量體積 用吸量管吸取 10ml“a”之稀釋液，放入錐瓶中，加入純水 30ml 搖勻，再加入酚酞指示劑 1~3 滴并記下錐瓶 內溶液的體積為 V1，再取（NaOH）標準溶液倒入滴管內一般以 50ml 為基準，然后緩慢滴入錐瓶中， 滴至粉紅色后搖勻一分鐘后不褪色為終點，計下此時錐瓶內的數據為 V2，根據以下公式計算出溶液的體積