NR7 6000P光刻膠價格產品介紹

光刻膠

北京賽米萊德貿易有限公司供應美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，此款負膠的設計適用于比較寬的波長范圍和i線（366納米）曝光工具。當顯影后NR9-3000PY顯示出負的側壁角度，是lift-off工藝中比較簡易的光刻膠。項目共申請發明專利15項（包括國際專利5項），截止到目前，共獲得授權專利10項（包括國際專利授權3項）。和其他膠相比NR9i-3000PY有下面的優勢：

光刻膠市場

全球光刻膠市場擴增，對光刻膠的總需求不斷提升。據估計，2015年國際光刻膠市場達73.6億美元，其中PCB光刻膠占比24.5%，LCD光刻膠占26.6%，半導體光刻膠占比24.1%。2010年到2015年期間，國際光刻膠市場年復合增長率約為5.8%；據中國產業信息網數據，2015年，PCB光刻膠、LCD光刻膠和半導體光刻膠的國際市場增速均在5%左右。同時，這一步驟還可以減輕因高速旋轉形成的薄膜應力，從而提高光刻膠襯底上的附著性。在下游產業的帶動下，江瀚咨詢預計國際光刻膠市場規模在2022年可能突破100億美元。

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4,曝光

前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機上，經與光刻版對準后，進行曝光，接受光照的光刻膠發生化學變化，形成潛影，

光源與光刻膠相匹配，也就是光源波長在光刻膠的敏感波段；

對準：指光刻板上與襯底的對版標記應準確對準，這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準。

曝光時間，由光源強度，光刻膠種類，厚度等決定，

另外，為降低駐波效應影響，可在曝光后需進行烘焙，稱為光后烘焙（PEB）

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正性光刻膠的金屬剝離技術

正性膠的金屬剝離工藝對于獲得難腐蝕金屬的細微光刻圖形比常規的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優越性。本文首先對金屬剝離工藝中的正、負光刻膠的性能作了對比分析。認為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應于微細圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直， 去膠容易等獨特性能，比負性光刻膠更有利于金屬剝離工藝。然后給出了具體的工藝條件，并根據正性光刻膠的使用特點指出了工藝中的關鍵點及容易出現的問題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對片子表面的清潔處理更為嚴格。據智研咨詢估計，得益于我國平面顯示和半導體產業的發展，我國光刻膠市場需求，在2022年可能突破27。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對曝光時同特別是顯影液溫度提出了嚴格的要求。由于工藝中基本上不經過腐蝕過程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。