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              發布時間:2021-08-07 17:52  

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              碳化硅(SiC),又稱金剛砂。1891年美國人艾契遜(Acheson)發明了碳化硅的工業制造方法。碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工業鹽作基本合成原料,在電阻爐中加熱反應合成。其中加入木屑是為了使塊狀混合物在高溫下形成多孔性,便于反應產生的大量氣體及揮發物從中排除,避免發生,因為合成IT碳化硅,將會生產約1.4t的(CO)。工業鹽(NaCl)的作用是便于除去料中存在的氧化鋁、氧化鐵等雜質。



              除了用燒結法制造碳化硅制品以外,自從發明了熱壓燒結技術以后,碳化硅制品也可以用熱壓法制造,并且可以獲得更優良的燒結性能。熱壓工藝是把坯料的成型和燒成結合為一個過程,即坯料在高溫同時又在壓力下一次成型并燒結。這種方法在冶金工業中用于粉末冶金已有數十年的歷史,在特種耐火材料工業生產中已經逐步推廣應用。采用熱壓成型燒結,可以縮短制造時間,降結溫度,改善制品的顯微結構,增加制品的致密度,提高材料的性能。選擇適當的溫度、壓力和坯料粒度等熱壓工藝條件,就可達到優良的熱壓效果。熱壓工藝對難熔化合物的制造特別有用。熱壓用的模具因為既要經受1000℃以上的高溫,并且還要在高溫下承受數kN的壓力,因此,對制造難熔化合物制品一般均用高強度石墨作模具。



              討論

              通過試驗可得,碳化硅涂層越薄,吸波能力越低;涂層中所含碳化硅含量越低,吸波能力越低。當涂層厚度與碳化硅含量達到標準時,涂層可承受 250℃高溫。在 150℃環境中,厚度為 1mm 的碳化硅涂層吸收強度保持在 20dB 左右。

              通過對比分析可知,碳化硅涂層的適吸波能力為1mm,碳化硅涂層的多波段吸收可以跨越不同厚度的涂層。隨著碳化硅涂層厚度的減小,涂層吸收峰的峰位逐漸轉為高頻。

              在一定范圍內,吸收峰的峰位變化與碳化硅含量成正比,碳化硅含量增加,則吸收峰峰位向高頻移動。相反,涂層厚度與吸收峰的峰位成反比,厚度增加,則吸收峰峰位移向低頻段。當涂層厚度 1mm 時,碳化硅涂層的吸波性能佳。