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發布時間:2021-09-08 13:19  
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ASEMI新型高壓SBD的結構和材料與傳統SBD是有區別的。傳統SBD是通過金屬與半導體接觸而構成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等,半導體通常為(Si)或(GaAs)。由于電子比空穴遷移率大,為獲得良好的頻率特性,故選用N型半導體材料作為基片。為了減小SBD的結電容,提高反向擊穿電壓,同時又不使串聯電阻過大,通常是在N 襯底上外延一高阻N-薄層。

根據萬用表示數分析,肖特基二極管測試結論如下(其中①②③為肖特基二極管自左而右的三只引腳編碼):
一,根據①-②、③-②間均可測出正向電阻,判定被測管為共陰對管,①、③腳為兩個陽極,②腳為公共陰極。
二,因①-②、③-②之間的正向電阻只幾歐姆,而反向電阻為無窮大,故具有單向導電性。
三,內部兩只肖特基二極管的正向導通壓降分別為0.315V、0.33V,均低于手冊中給定的允許值VFM(0.55V)。



ASEMI肖特基二極管與普通二極管之間有什么區別?
肖特基二極管(Schottky)的特點是正向壓降 VF 比較小。
在同樣電流的情況下,它的正向壓降要小許多。
另外它的恢復時間短。它也有一些缺點:耐壓比較低,漏電流稍大些。比較適用大電流低電壓場合。
在高電壓整流電路應用時,還是應該選用普通PN結整流二極管。希望ASEMI可以幫助你!





要問肖特基二極管與快恢復二極管的差別,以及為什么采購生產等都喜歡使用肖特基二極管的原因,那就是頻率的高低不同,直接影響到應用當中的能源耗損,像ASEMI的肖特基二極管,其反向恢復時間已能縮短到5ns以內。但它的反向耐壓值較低,一般不超過去時100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點,能提高低壓、大電流整流(或續流)電路的效率 。