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發布時間：2020-07-25 18:27
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光刻膠的參數
賽米萊德專業生產、銷售光刻膠，我們為您分析該產品的以下信息。
分辨率
分辨率英文名：resolution。區別硅片表面相鄰圖形特征的能力,一般用關鍵尺寸（CD，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
對比度
對比度（Contrast）指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，分辨率越好。
敏感度
敏感度（Sensitivity）光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的能量值（或曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要。
粘滯性黏度
粘滯性/黏度（Viscosity）是衡量光刻膠流動特性的參數。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加；高的粘滯性會產生厚的光刻膠；越小的粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。光刻膠的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻膠的密度的指標。它與光刻膠中的固體含量有關。較大的比重意味著光刻膠中含有更多的固體，粘滯性更高、流動性更差。粘度的單位：泊（poise），光刻膠一般用厘泊（cps，厘泊為1%泊）來度量。百分泊即厘泊為粘滯率；運動粘滯率定義為：運動粘滯率=粘滯率/比重。 單位：百分斯托克斯（cs）=cps/SG。
粘附性
粘附性（Adherence）表征光刻膠粘著于襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致硅片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經受住后續工藝（刻蝕、離子注入等）。
抗蝕性
抗蝕性（Anti-etching）光刻膠必須保持它的粘附性，在后續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。
表面張力
液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力（Surface Tension），使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。
如何選購光刻膠？
光刻加工工藝中為了圖形轉移，輻照必須作用在光刻膠上，通過改變光刻膠材料的性質，使得在完成光刻工藝后，光刻版圖形被在圓片的表面。而加工前，如何選用光刻膠在很大程度上已經決定了光刻的精度。盡管正性膠的分辨力是的，但實際應用中由于加工類型、加工要求、加工成本的考慮，需要對光刻膠進行合理的選擇。
劃分光刻膠的一個基本的類別是它的極性。光刻膠在曝光之后，被浸入顯影溶液中。在顯影過程中，正性光刻膠曝過光的區域溶解得要快得多。理想情況下，未曝光的區域保持不變。負性光刻膠正好相反，在顯影劑中未曝光的區域將溶解，而曝光的區域被保留。正性膠的分辨力往往是的，因此在IC制造中的應用更為普及，但MEMS系統中，由于加工要求相對較低，光刻膠需求量大，負性膠仍有應用市場。
光刻膠的相關內容
光刻膠必須滿足幾個硬性指標要求：高靈敏度，高對比度，好的蝕刻阻抗性，高分辨力，易于處理，高純度，長壽命周期，低溶解度，低成本和比較高的玻璃化轉換溫度（Tg）。主要的兩個性能是靈敏度和分辨力。
感光膠的主要成分是樹脂或基體材料、感光化合物以及可控制光刻膠機械性能并使其保持液體狀態的溶劑。樹脂在曝光過程中改變分子結構。感光化合物控制樹脂定相的化學反應速度。溶劑使得膠能在圓片上旋轉擦敷并形成薄瞙。沒有感光化合物的光刻膠稱為單成分膠或單成分系統，有一種感光劑的情形下，稱為二成分系統。因為溶劑和其他添加物不與膠的感光反應發生直接關系，它們不計入膠的成分。
在曝光過程中，正性膠通過感光化學反應，切斷樹脂聚合體主鏈和從鏈之間的聯系，達到削弱聚合體的目的，所以曝光后的光刻膠在隨后顯影處理中溶解度升高。曝光后的光刻膠溶解速度幾乎是未曝光的光刻膠溶解速度的10倍。而負性膠，在感光反應過程中主鏈的隨機十字鏈接更為緊密，并且從鏈下墜物增長，所以聚合體的溶解度降低。見正性膠在曝光區間顯影，負性膠則相反。負性膠由于曝光區間得到保留，漫射形成的輪廓使顯影后的圖像為上寬下窄的圖像，而正性膠相反，為下寬上窄的圖像。
光刻膠市場情況
目前全球光刻膠市場基本被日本和美國企業所壟斷。光刻膠屬于高技術壁壘材料，生產工藝復雜，純度要求高，需要長期的技術積累。日本的JSR、東京應化、信越化學及富士電子四家企業占據了全球70%以上的市場份額，處于市場壟斷地位。
光刻膠市場需求逐年增加，2018年全球半導體光刻膠銷售額12.97億美元。隨著下游應用功率半導體、傳感器、存儲器等需求擴大，未來光刻膠市場將持續擴大。
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