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磁控濺射鍍膜機

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真空鍍膜機利用這種濺射方法在基體上沉積薄膜是1877年問世的。但是，利用這種方法沉積薄膜的初期存在著濺射速率低，成膜速度慢，并且必須在裝置上設置高壓和通入惰性氣體等一系列問題。因此，發展緩慢險些被淘汰。只是在化學活性強的金屬、難容金屬、介質以及化合物等材料上得到了少量的應用。直到20世紀70年代，由于磁控濺射及時的出現，才使濺射鍍膜得到了迅速的發展，開始走入了復興的道路。這是因為磁控濺射法可以通過正交電磁場對電子的約束，增加了電子與氣體分子的碰撞概率，這樣不但降低了加在陰極上的電壓，而且提高了正離子對靶陰極的濺射速率，減少了電子轟擊基體的概率，從而降低了它的溫度，即具備了;高速、低溫的兩大特點。到了80年代，雖然他的出現僅僅十幾年間，它就從實驗室中脫穎而出，真正地進入了工業大生產的領域。而且，隨著科學技術的進一步發展，近幾年來在濺射鍍膜領域中推出了離子束增強濺射，采用寬束強流離子源結合磁場調制，并與常規的二極濺射相結合組成了一種新的濺射模式。而且，又將中頻交流電源引入到磁控濺射的靶源中。這種被稱為孿生靶濺射的中頻交流磁控濺射技術，不但消除了陽極的;消失;效應。而且，也解決了陰極的問題，從而極大地提高了磁控濺射的穩定性。為化合物薄膜制備的工業化大生產提供了堅實的基礎。近年來急速鍍膜的復興與發展已經作為人們炙手可熱的一種新興的薄膜制備技術而活躍在真空鍍膜的技術領域中。濺射鍍膜機濺射鍍技術應用蒸發鍍應用新型電極引入裝置，接觸電阻小且可靠。

磁控濺射鍍膜儀應用廣泛

目前我國磁控濺射鍍膜儀市場銷售非常火熱，這是一項熱門的新技術，它帶給企業和廠家的不僅僅是技術，還能夠節省大量的人工運作成本，因此深受廣大用戶的青睞。

磁控濺射鍍膜設備可制備多種薄膜，不同功能的薄膜，還可沉積組分混合的混合物、化合物薄膜；磁控濺射等離子體阻抗低，從而導致了高放電電流，在約５００Ｖ的電壓下放電電流可從１Ａ 到１００Ａ（取決于陰極的長度）；成膜速率高，沉積速率變化范圍可從１ｎｍ／ｓ到１０ｎｍ／ｓ；成膜的一致性好，甚至是在數米長的陰極濺射的情況下，仍能保證膜層的一致性；基板溫升低；處理這種具體難題的方式是對涉及到無心插柳堆積全過程的所有要素開展總體的可靠性設計，創建1個無心插柳鍍一層薄薄的膜的綜合性布置系統軟件。濺射出來的粒子能量約為幾十電子伏特，成膜較為致密，且膜基結合較好。

磁控濺射鍍膜設備得以廣泛的應用是因為該技術的特點所決定的，其特點可歸納為：可制備成靶材的各種材料均可作為薄膜材料，包括各種金屬、半導體、鐵磁材料，以及絕緣的氧化物、陶瓷、聚合物等物質。

另外磁控濺射調節參數則可調諧薄膜性能，尤其適合大面積鍍膜，沉積面積大膜層比較均勻。

近年來，磁控濺射鍍膜設備在我國愈發的流行，從側面反映出了我國工業發展十分迅速，今后設備取代人工的可能性是非常巨大的。

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磁控濺射鍍膜機的優勢

1.實用性：設備集成度高，結構緊湊，占地面積小，可以滿足客戶實驗室空間不足的苛刻條件；通過更換設備上下法蘭可以實現磁控與蒸發功能的轉換，實現一機多用；

2.方便性：設備需要拆卸的部分均采用即插即用的方式，接線及安裝調試簡單，既保證了設備使用方便又保證了設備的整潔；

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