氣相化學沉積設備公司行業專家在線為您服務【沈陽鵬程】

化學氣相沉積的特點

化學氣相沉積法之所以得到發展，是和它本身的特點分不開的，其特點如下。

I) 沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。

2) CVD反應在常壓或低真空進行，鍍膜的繞射性好，對于形狀復雜的表面或工件的深孔、細孔都能均勻鍍覆。

3) 能得到純度高、致密性好、殘余應力小、結晶良好的薄膜鍍層。由于反應氣體、反應產物和基體的相互擴散，可以得到附著力好的膜層，這對表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強膜是很重要的。

4) 由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多，由此可以得到純度高、結晶完全的膜層，這是有些半導體膜層所必須的。

5) 利用調節沉積的參數，可以有效地控制覆層的化學成分、形貌、晶體結構和晶粒度等。

6) 設備簡單、操作維修方便。

7) 反應溫度太高，一般要850~ 1100℃下進行，許多基體材料都耐受不住CVD的高溫。采用等離子或激光輔助技術可以降低沉積溫度。

如需了解更多化學氣相沉積的相關信息，歡迎關注沈陽鵬程真空技術有限責任公司網站或撥打圖片上的熱點電話，我司會為您提供專業、周到的服務。

等離子體化學氣相沉積

沈陽鵬程真空技術有限責任公司——專業脈沖激光沉積供應商，我們為您帶來以下信息。

等離子體化學氣相沉積簡稱PCVD，是一種用等離子體激發反應氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應,生成固態膜的技術。其原理是利用檢測等離子體中某種反應性化學基團或揮發性基團所發射波長的光強的變化來實現終點檢測。等離子體化學氣相沉積技術的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應氣體，利用等離子體放電，使反應氣體激發并實現化學氣相沉積的技術。