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發布時間:2021-08-12 15:35  
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早期電源從其指示表頭的檔次
早期電源從其指示表頭的檔次也能基本判斷電源的檔次。后來隨著數字電壓電流表技術的普及,越來越多的電源采用數字電壓表電流表替代指針表。數字表的優點是讀數方便,一經使用就廣受用戶歡迎。數顯電表較多采用較低成本的LED八字管作為顯示,具有綜合成本低可視度高的特點。同期在一些電源中也有使用單色液晶和VFD屏顯示的,使用這些顯示器件可以方便的現實除數值以外的一些信息,但成本提升不少。
脈沖類負載的電流峰值即使在可編程直流開關電源輸出額定電流值范
脈沖類負載的電流峰值即使在可編程直流開關電源輸出額定電流值范圍內,或者脈沖類電路或電動機驅動電路負載電流波形,在計量設備所指示的標稱值(平均值)內。電流也會達到可編程直流開關電源額定電流區域,從而使輸出電壓下降或者顯得不穩定。解決方法是在電源供應器與負載之間串接電感器,或者選擇輸出電流更大的可編程直流開關電源。如果脈沖類電路脈沖寬度較窄或者電流峰值比較小,可以在負載端加裝大容量電容器,加以改善, 可按照1 安培約1000UF選擇電容器。
客戶定制的功率控制柜交付完成。系統采用12臺可控硅功率控制器。對負載進行控制,每一臺對應一個液晶顯示儀,可顯示系統電壓,系統電流,功率,頻率,報警信息等,可切換中英文菜單顯示界面。反激式拓撲通常用于工業開關模式電源,低于100W的隔離設計。反激式轉換器(圖1)利用有間隙的變壓器來傳輸和存儲能量,從而地減少輸出組件的數量。然而,其不連續操作中固有的高峰值電流將其用于低功率應用。對于小于12V的輸出電壓,使用反激式線束同步整流(MOSFET)的變化。
SiC開關器件功率處理能力的一個實例
作為與硅器件的粗略“數量級”比較,基于 SiC 的 MOSFET 器件阻斷電壓是前者的 10 倍,開關速度約是其 10 倍,25℃ 時的導通電阻只有其一半或更小。同時,工作溫度高可達 200℃(硅器件為 125℃),因而使熱設計和熱管理得以簡化。SiC 開關器件功率處理能力的一個實例是 ROHM Semiconductor 的 SCT3105KRC14,1200 V、24 A 的 N 溝道 SiC 功率 MOSFET,RDS(on) 典型值為 105 mΩ。該器件具有良好的熱阻特性,相對于施加的脈沖寬度能夠迅速達到大值(圖 3)。