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電容器在電源中的應用之浪涌電壓保護

可靠性高，體積小，充放電壽命長，電壓高達150kV，放電電流大，介質損耗＜0.1%。

開關頻率很高的現代功率半導體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響。跨接在功率半導體器件兩端的浪涌電壓保護電容器（如EPCOSB32620-J或B32651..56）通過吸收電壓脈沖限制了峰值電壓，從而對半導體器件起到了保護作用，使得浪涌電壓保護電容器成為功率元件庫中的重要一員。半導體器件的額定電壓和電流值及其開關頻率左右著浪涌電壓保護電容器的選擇。電介質成形更薄、更一致，使SMD固體鉭電容的額定電壓能夠達到75V，從而實現了提高額定電壓的技術突破。由于這些電容器承受著很陡的DV/DT值，因此，對于這種應用而言，薄膜電容器是恰當之選。

在額定電壓值高達2000VDC的條件下，典型的電容額定值在470PF～47NF之間。對于大功率的半導體器件，如IGBT，電容值可高達2.2ΜF，電壓在1200VDC的范圍內。不能僅根據電容值/電壓值來選擇電容器。在選擇浪涌電壓保護電容器時，還應考慮所需的DV/DT值。耗散因子決定著電容器內部的功率耗散。標準的高壓SMD電容最終將會失效短路，這取決于電弧放電的次數和存在問題的部分。因此，應選擇一個具有較低損耗因子的電容器作為替換。

高壓電容器預防故障的措施有哪些?

1)加強巡視、查看、維護并聯高壓陶瓷電容器應定時停電查看，每個季度少1次，首要查看電容器殼體、瓷套管、裝置支架等部位是不是有積塵等污物存在，并進行認真地打掃。查看時應特別注意各聯接點的聯接是不是結實，是不是松動;殼體是不是鼓肚、滲(漏)油等。若發現有以上現象呈現，有必要將電容器退出運轉，妥善處理。這些電路常采用鉭電容來降低紋波，但鉭電容有可能受到開關穩壓器的噪聲影響而產生不安全的瞬變現象。

2)準確選用投(切)開關斷開并聯高壓陶瓷電容器時，因為開關靜、動觸頭間的電弧效果，將會導致操作過電壓發作，除了請求將投(切)開關的容量選得比并聯電容器組的容量大35%擺布以外，還有必要是觸頭間絕緣康復強度高，電弧重燃性小，滅弧性能好的斷路器。即并聯電容器的長時間運轉電壓不得大于其額外電壓值的10%，運轉電壓過高，將大大縮短電容器的使用壽命。

3)操控運轉溫度在正常環境下，一般請求并聯電容器外殼熱門的溫度不得大于60℃，否則，須查明因素，進行處理。

電容器之電解電容是什么呢？

電容器之電解電容是電容的一種，金屬箔為正極（鋁或鉭），與正極緊貼金屬的氧化膜（氧化鋁或五氧化二鉭）是電介質，陰極由導電材料、電解質（電解質可以是液體或固體）和其他材料共同組成，因電解質是陰極的主要部分，電解電容因此而得名。

這個就是電容器之電解電容的介紹。

電容器在yiliao器械中選型及應用

新型鉭電容

為解決降低額定電壓的問題，Vishay研發部門開發出了具有更高額定電壓等級的新系列SMD固體鉭電容器，額定電壓高達75WVDC.50V額定電壓電容在28V以及更高電壓導軌中的應用引起了設計人員的擔心，而采用Vishay新型的63V和75V鉭電容，可達到額定電壓降低50%的行業認可安全指標。電介質成形更薄、更一致，使SMD固體鉭電容的額定電壓能夠達到75V，從而實現了提高額定電壓的技術突破。成形工藝中對多道工序進行了改進：降低了成形加工過程中產生的機械應力集中，降低了電容成形過程中電解液的局部過熱，提高了電介質成形過程中電解液濃度和純度的一致性。無線感應充電器可為設備上安裝的微小薄膜(如CymbetEnerChip)充電式儲能器件安全地充電。新型電容T97系列的額定電壓達75V，83系列達63V.