東莞阻尼布加工常用指南,新光速光電

單晶金剛石相比,多晶金剛石有更多的品棱和磨削面,每條晶棱都具有切削能力,因此有很高的去除率。多品金剛石具有韌性和自銳性,在拋光過程中。

粗顆粒會(huì)破碎成更小的顆粒,可避免對(duì)工件表面造成劃傷,既保證了工件表面質(zhì)量,又提高了研磨切削效率,在某些高質(zhì)量要求的產(chǎn)品加工過程中顯示出

它獨(dú)特的優(yōu)越性。

主要應(yīng)用于:藍(lán)寶石襯底、光學(xué)晶體及硬盤磁頭等的研磨和拋光。

三.拋光液檢測(cè)之優(yōu)點(diǎn)分析

1、 增加生產(chǎn)量，操作人員不再需要中斷拋光工作，可以自動(dòng)的控制拋光液的噴涂,

2、節(jié)省操作時(shí)間，提高產(chǎn)能。

3、節(jié)省清洗時(shí)間， 拋光液是水性的配方，拋光后工程的清洗工序更容易，可以節(jié)省的清洗時(shí)間

4、拋光輪壽命增加，噴涂液體研磨劑對(duì)研磨輪之輪緣表面溫度有冷卻作用，

5、大大減低研磨輪的損耗，從而增加研磨輪的壽命。

6、增加產(chǎn)品的穩(wěn)定性能， 避免了人手操作的不確定性。

為滿足芯片微型化、高密度化、高速化、高數(shù)字化和系統(tǒng)集成化的要求，對(duì)芯片直徑、平坦化、線寬和金屬互連層數(shù)提出了更高要求，這也對(duì)晶片的精密加工提出了更高要求。

半導(dǎo)體晶圓(芯片)加工工藝流程如圖1所示。

由于大規(guī)模集成電路(ULSI)向高度集成和多層布線發(fā)展，化學(xué)機(jī)械拋光、平坦化已成為集成電路制造不可缺少的關(guān)鍵工藝。它不僅是硅晶圓加工中終獲得納米光滑、無(wú)損傷表面的有效方法，也是芯片多層布線中的層間局域平坦化方法。