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ASEMI解析肖特基勢壘二極管工作原理：

隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。

肖特基二極管分為有引線和表面安裝(貼片式)兩種封裝形式。肖特基二極管在結構原理上與PN結二極管有很大區別，它的內部是由陽極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、N-外延層(材料)、N型硅基片、N 陰極層及陰極金屬等構成。

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