風力發(fā)電用IGBT測試儀廠家量大從優(yōu) 華科IGBT靜態(tài)參數(shù)

華科智源IGBT電參數(shù)測試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測試，廣泛應用于軌道交通，電動汽車，風力發(fā)電，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。賣方出廠試驗詳細方案應提前提交買方評估，通過買方評估合格后實施方可視為有效試驗。測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試。

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務的高新技術(shù)企業(yè)，坐落于改革開放之都-中國深圳，核心業(yè)務為半導體功率器件智能檢測準備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT首件檢測儀，MOS管直流參數(shù)測試儀，MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀，IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風力發(fā)電檢修用IGBT測試儀。3-2002印制板的設計和使用 GB/T9969-2008工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則 GB/T6988-2008電氣技術(shù)用文件的編制 GB/T3859。

為何老化的元件必須盡早發(fā)現(xiàn)及盡早更換？

當功率元件老化時，元件的內(nèi)阻在導通時必定會加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。長期使用后若溫升過高時，會使元件在關(guān)閉時的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進而使半導體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。當元件損毀時，會連帶將其驅(qū)動電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。2IGBT模塊動態(tài)測試參數(shù)及指標測試單元對IGBT模塊和FRD的動態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足國際標準IEC60747-9以及IEC60747-2。

測試參數(shù)多且完整、應用領(lǐng)域更廣泛，但只要使用其基本的2項功能：「開啟」電流壓降，「關(guān)閉」電流的漏電流，就可知道大功半導體有沒有老化的現(xiàn)象。

?可移動型儀器，使用方便，測試簡單快速，立即提供測試結(jié)果與數(shù)值。

?適用的半導體元件種類多，尤其能測大功率元件。

?用戶能確實掌握新采購元件的質(zhì)量，避免用到瑕疵或品。

?完全由計算機控制、快速的設定參數(shù)。

?適用于實驗室和老化篩選的測試。

?操作非常簡單、速度快。

?完全計算機自動判斷、自動比對。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試部分主要材料技術(shù)要求 1）閾值電壓測試電路 閾值電壓測試電路（僅示出IEC標準測試電路） ?滿足表格9測試參數(shù)要求 ?低壓開關(guān)電源要求：Vcc=12V (針對上圖電路) ?可調(diào)電源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V ?集電極電流測試電路精度：10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射極截止電壓/集射極截止電流測試電路 集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測試電路 ?高壓充電電源：10~2kV連續(xù)可調(diào) ?5包裝、標志和運輸 賣方負責整套設備的包裝和運輸，并負擔由此產(chǎn)生的費用。支撐電容：額定電壓2kV ?集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA ?集電極電壓VCES：200～1500V±2%±1V