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              發(fā)布時間:2020-07-30 12:36  

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              視頻作者:蘇州振鑫焱光伏科技有限公司






              國際性鋰電池回收現(xiàn)行政策

              振鑫焱光伏科技有限責任公司長期購置:天價回收硅片,電池片,初中級多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽電池,太陽能組件,太陽能光伏板,顧客撤離,退級,庫存量,El,欠佳檢測,2手,舊,工程項目,拆裝,道路路燈,拆卸發(fā)電廠,拆裝,人造板,層壓板,無界限結(jié)晶硅,多晶硅,單晶硅,試驗板,負債還款,返修,太陽能發(fā)電控制模塊收購等。

              國際性鋰電池回收現(xiàn)行政策 

              1991年歐洲共同體施行實施充電電池命令(91/157/EEC),并隨之充電電池產(chǎn)業(yè)鏈的迅速發(fā)展趨勢和環(huán)境保護規(guī)定的不斷提升,前后左右2次修定并各自頒布了充電電池命令(93/86/EEC)和(98/101/EEC)。2006年歐洲共同體公布鋰電池回收新命令(2006/66/EC),要求其理事國鋰電池回收再運用總體目標在2016年9月26日以前充電電池綜合性利用率超過45%,工業(yè)生產(chǎn)充電電池保持100%收購;后于2008年填補公布了廢料架構(gòu)命令(2008/98/EC),對廢舊電池類型深化細分化,確立鋰電池回收等級。  

              1993年日本國修定《節(jié)能法》并一起施行《再生能源法》合理布局鋰電池回收;于2000年政府部門實施“3R”方案(recycling/reuse/reduce),明確規(guī)定創(chuàng)建充電電池“循環(huán)系統(tǒng)-再運用”收購系統(tǒng)軟件。1991年和1994年英國陸續(xù)創(chuàng)立手持式充電鋰電池研究會(PRBA)充電電池和充電鋰電池回收商(PBRC),并制訂生態(tài)環(huán)境保護規(guī)范輔助鋰電池回收。







              電池片的制作工藝

              外擴散種類 

              1.穩(wěn)定源外擴散:在穩(wěn)態(tài)外擴散的標準下,企業(yè)時間內(nèi)根據(jù)垂直平分外擴散方位的企業(yè)總面積的外擴散品質(zhì)與該橫截面處的濃度梯度正比。 

              2.限制源外擴散:在再遍布全過程中,外擴散是在限制源的標準下進有的,全部外擴散全過程的殘渣源,限制于外擴散前積淀在硅片表層的無限薄層內(nèi)的殘渣總產(chǎn)量,沒有外地人殘渣填補即在硅片表層處的殘渣流相對密度。 

              生產(chǎn)車間應(yīng)用的是二步外擴散:預(yù)淀積外擴散。預(yù)擴散是穩(wěn)定源外擴散,關(guān)鍵是促使硅片表層汽體濃度值相同,維持整批方塊電阻是勻稱性。主外擴散是限制源外擴散,而且在主外擴散后進入大氮汽體,做為推動汽體,增加PN結(jié)深度。



              振鑫焱光伏科技有限公司常年采購:高價回收硅片,電池片,初級多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽能電池,光伏組件,太陽能電池板,客戶撤退,降級,庫存,El,不良測試,二手,舊,工程,拆卸,路燈,拆解電站,拆卸,膠合板,層壓板,無邊界晶體硅,多晶硅,單晶硅,實驗板,債務(wù)償還,返工,光伏模塊回收等。


              PECVD

              PE 目的

              在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜,以增加入射在硅片上的光的透射,減少反射,氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

              其化學反應(yīng)可以簡單寫成 : SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

              基本 原理

              PECVD 技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的反應(yīng)氣體,氣體經(jīng)一系列化學反應(yīng)和等離子體反應(yīng),在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 PECVD 方法區(qū)別于其它 CVD 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子,它們可以提供化學氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程,生成活性很高的各種化學基團,因而顯著降低 CVD 薄膜沉積的溫度范圍,使得原來需要在高溫下才能進行的 CVD 過程得以在低溫下實現(xiàn)。  

              基本特征

              1. 薄膜沉積工藝的低溫化( < 450 ℃ )。

              2. 節(jié)省能源,降低成本。

              3. 提高產(chǎn)能。

              4. 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減。

              擴散方式

              PE 設(shè)備有兩類:平板式和管式。

              按反應(yīng)方式分為:直接式(島津)和間接式( Roth & Rau  )。

              直接式:基片位于一個電極上,直接接觸等離子體。  

              間接式:基片不接觸激發(fā)電極。 在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里,等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外,然后由石英管導入反應(yīng)腔中。在這種設(shè)備里微波只激發(fā) NH3 ,而 SiH4 直接進入反應(yīng)腔。間接 PECVD 的沉積速率比直接的要高很多,這對大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。





              電池片絲網(wǎng)印刷技術(shù)

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              電池片絲網(wǎng)印刷技術(shù)


              印刷厚度:絲網(wǎng)和感光膜的厚度決定印刷后圖形的厚度即線條的厚度,如圖 10 所示,在一般情況下,絲網(wǎng)目數(shù)越低,絲經(jīng)越粗,印刷后的漿料層就越高,所用絲網(wǎng)目數(shù)較高時,印刷后漿料層就低一些。感光膜的厚度與絲網(wǎng)目數(shù)和線條的寬度有關(guān):目數(shù)越高,絲徑越細,感光膜與絲網(wǎng)的接觸面積越小,二者的附著力減小,

              果印刷線條變窄,增加感光膜的厚度易造成脫落,所以感光膜較薄,感光膜的厚度約為絲網(wǎng)厚度的 15 %~ 25 %;對于背鋁和背銀工序,選取250 目絲網(wǎng),其厚度為 58um,感光膜厚度為 10 ~ 15um ,則印后厚度為 68 ~ 73μm ,這里計算出來的厚度時漿料的濕厚度( wetthickness ).需經(jīng)過烘干( dry )和燒結(jié)( fire )才是終厚度(干厚度),干厚度是濕厚度的 30% ~ 40% ;對于正銀工序,選取 330 目絲網(wǎng),其厚度為 44um ,感光膜厚度為 5 ~ 10μm ,則印后濕厚度約為 49 ~ 54μm 。  

              選擇絲網(wǎng)絲徑及目數(shù)時,要求網(wǎng)格的孔長為漿料粉體粒徑的 2.5 ~ 5 倍;目數(shù)越低絲網(wǎng)越稀疏,網(wǎng)孔越大,油墨通過性就越好;網(wǎng)孔越小,油墨通過性越差,如圖 9 所示。  

              網(wǎng)框 :網(wǎng)框大多采用硬鋁及鋁合金以承受繃網(wǎng)所產(chǎn)生的力,連接絲網(wǎng)的底面需要較高的平面度,約為 0.04mm × 150mm × 150mm ; 網(wǎng)框規(guī)格一般為承印物的 2 倍:以 150mm 電池片為例,承印物面積為

              150mm × 150mm ,網(wǎng)框內(nèi)口的面積應(yīng)為300mm × 300mm  。  








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