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發(fā)布時(shí)間：2020-11-16 07:46
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在室溫(25℃)和氣體壓力為p(Pa)的條件下，殘余氣體分子的平均自由程為λ=6.65×10-1/pcm(2)由上式計(jì)算可知，在室溫下，p=10-2Pa時(shí)，λ=66.5cm，即一個(gè)分子在與其它分子發(fā)生兩次碰撞之間約飛行66.5cm。碰撞圖2是蒸發(fā)粒子在飛向基片途中發(fā)生碰撞的比例與氣體分子的實(shí)際路程對(duì)平均自由程之比值的曲線。從圖中可以看出，當(dāng)λ=L時(shí)，有63%的蒸發(fā)分子會(huì)發(fā)生碰撞。如果平均自由程增加10倍，則散射的粒子數(shù)減少到9%，因此，蒸發(fā)粒子的平均自由程必須遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于蒸距才能避免蒸發(fā)粒子在向基片遷移過程中與殘余氣體分子發(fā)生碰撞，從而有效地減少蒸發(fā)粒子的散射現(xiàn)象。目前常用的蒸發(fā)鍍膜機(jī)的蒸距均不大于50cm。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制
高反射膜從大口徑的天文望遠(yuǎn)鏡和各種激光器開始、一直到新型建筑物的大窗鍍膜茉莉，都很需要增透膜則大量用于照相和各種激光器開始、一直到新型建筑物的大窗鍍膜玻璃，都很需要。增透膜則大量用于照相機(jī)和電視攝象機(jī)的鏡頭上。在電子學(xué)方面真空鍍膜更占有極為重要的地位。各種規(guī)模的繼承電路。包括存貯器、運(yùn)算器、告訴邏輯元件等都要采用導(dǎo)電膜、絕緣膜和保護(hù)膜。作為制備電路的掩膜則用到鉻膜。磁帶、磁盤、半導(dǎo)體激光器，約瑟夫遜器件、電荷耦合器件(CCD)也都甬道各種薄膜在顯示器件方面，錄象磁頭、高密度錄象帶以及平面顯示裝置的透明導(dǎo)電膜、攝像管光導(dǎo)膜、顯示管熒光屏的鋁襯等也都是采用真空鍍膜法制備。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制
隨著高科技及新興工業(yè)發(fā)展，物理氣相沉積技術(shù)出現(xiàn)了不少新的先進(jìn)的亮點(diǎn)，如多弧離子鍍與磁控濺射兼容技術(shù)，大型矩形長(zhǎng)弧靶和濺射靶，非平衡磁控濺射靶，孿生靶技術(shù)，帶狀泡沫多弧沉積卷繞鍍層技術(shù)，條狀纖維織物卷繞鍍層技術(shù)等，使用的鍍層成套設(shè)備，向計(jì)算機(jī)全自動(dòng)，大型化工業(yè)規(guī)模方向發(fā)展。第二節(jié)真空蒸鍍(一)真空蒸鍍?cè)?1)真空蒸鍍是在真空條件下，將鍍料加熱并蒸發(fā)，使大量的原子、分子氣化并離開液體鍍料或離開固體鍍料表面(升華)。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制
外層膜表面硬度：減反膜一般外層選用MgF2，該膜層剖面是較松散的柱狀結(jié)構(gòu)，表面硬度不高，容易擦拭出道子。
改善對(duì)策：
㈠膜系設(shè)計(jì)允許時(shí)，外層加10nm左右的SiO2層，二氧化硅的表面光滑度優(yōu)于氟化鎂（但二氧化硅表面耐磨度、硬度不如氟化鎂）。鍍后離子轟擊幾分鐘，牢固度效果會(huì)更好。（但表面會(huì)變粗）
㈡鏡片出真空室后，放置在較干燥潔凈的地方，防治快速吸潮，表面硬度降低。其它造成膜強(qiáng)度不良的原因還有，真空度過低（在手動(dòng)控制的機(jī)臺(tái)容易發(fā)生）、真空室臟、基片加熱不到位。 次數(shù)用完API KEY 超過次數(shù)限制
