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卷繞真空鍍膜機結構設計應該注意的幾個問題

真空鍍膜機使用的行業不一樣，它的機型是不一樣的，那么它的結構設計也是有很大的差別。在設計真空鍍膜機的時，我們都是要考慮到很多因素，比如：要鍍的物件大小，使用的材質，以及它的熱點，和其他的一些細節注意事項等，都會影響真空鍍膜機的結構設計，那么卷繞真空鍍膜機結構設計應該注意那幾個問題呢？下面至成真空小編，為大家詳細介紹一下：

1、提高卷繞速度的問題。卷繞速度即是帶狀基材運動的線速度，它是卷繞機構的一個主要技術指櫟。國內早期鍍膜機卷繞速度只有10m/min，現在也只有80m/min～120m/min，在國外日本的EW系列產品中，其卷繞速度已達到300m/min，德國L．H公司生產的鍍膜機已達到600m/min，可見隨著鍍膜技術的發展，卷繞速度有待提高。

2、帶狀基材的線速恒定問題。這一問題也很重要，因為只有卷繞機構保證帶狀基材的線速恒定，才能使基材上鍍層厚度均勻。這一點對制備帶狀基材的功能性膜（如電容器膜）尤為重要。

3、帶狀基材的跑偏和起褶問題。隨著卷繞速度的提高，帶狀基材在卷繞鍍膜過程中，起褶和發生偏斜，嚴重時會造成基材的斷裂，使生產中斷，既影響生產效率，又浪費材料。因此，在卷繞機構的設計中應充分考慮這一問題。

卷繞鍍膜機真空抽氣系統分上室下室兩組，下室為蒸鍍室，要求真空度高，主泵多為油擴散泵。上室為基材卷繞室，要求真空度較低，為羅茨泵機組或擴散泵一羅茨泵一機械泵組。一般蒸鍍室要達到的真空度為1x10^-3Pa—2×10^-3Pa，而工作壓力為1×10^-2Pa—2×10^-2Pa，而卷繞室真空度通常較蒸鍍室低一個數量級。有時卷繞鍍膜機以增擴泵（油擴散泵的一種）為主泵，它的極限壓力雖然不及油擴散泵，但其抽速范圍向高壓方向延伸一個數量級，非常適宜此類蒸發的鍍膜過程。

電子束蒸發真空鍍膜機應用及特點

真空鍍膜機已經廣泛運用到我們的生活中，以前物件鍍上一層一層的膜是為了延長壽命，防止腐蝕。然而隨著人民的生活質量不斷的提升，對于物件外表的膜層不僅僅只是停留在延長使用壽命上，同時更多關注物件的外觀是否絢麗美觀。真空鍍膜機在日常生活中運用無處不在，使用的行業不一樣，鍍的產品不一樣，鍍膜機的型號是不相同的。今天至成真空小編為大家介紹一下電子束蒸發真空鍍膜機應用及特點。

首先簡單為大家介紹一下蒸發系列卷繞真空鍍膜機，它主要用于在塑料、布、紙、金屬箔等帶狀材料表面真空蒸鍍金屬膜。產品廣泛用于包裝、印刷、防偽、紡織、電子工業等領域。本系列設備具有運行平穩、收放鍍膜平齊、膜層均勻、生產周期短、能耗低、操作維護方便、性能穩定等特點

電子束蒸發真空鍍膜機真空鍍膜是將固體材料置于真空室內，在真空條件下，將固體材料加熱蒸發，蒸發出來的原子或分子能自由地彌布到容器的器壁上。當把一些加工好的基板材料放在其中時，蒸發出來的原子或分子就會吸附在基板上逐漸形成一層薄膜。真空鍍膜有兩種方法,一是蒸發,一是濺射。在真空中把制作薄膜的材料加熱蒸發，使其淀積在適當的表面上。

那么電子束蒸發鍍膜機的結構特點有哪些呢？

（1）卷饒系統采用支流或交流變頻調速，具有運行平穩、速度高、對原卷材不劃傷、不折皺，收卷端面征集等特點；

（2）張力控制采用進口數字張力控制系統，具有張力、線速度恒定，動作快速的特點；

（3）各組送絲由微機電機獨立控制，可總調或單獨調速，并有速度顯示；

（4）真空系統配置精良，抽氣速度快，采用PLC控制；

（5）配備大功率電源，鍍膜，膜層均勻性好。

專業磁控濺射真空鍍膜機設備用途：

專業磁控濺射真空鍍膜機設備用途：主要用于太陽能電池鈣鈦礦、OLED和PLED、半導體制備等實驗研究與應用。磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。專業磁控濺射生產但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊Ar氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態和非平衡磁控陰極。專業磁控濺射生產平衡態磁控陰極內外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電。

新型磁控濺射真空鍍膜機鍍膜工藝

磁控濺射真空鍍膜機鍍膜工藝在鍍膜行業無處不在，只要說到鍍膜技術，大家都會立刻想到磁控鍍膜工藝，磁控濺射真空鍍膜機也受到了各大廠家的追捧，磁控濺射鍍膜工藝更是受到大家的喜愛，今天至成小編為大家介紹一下磁控濺射鍍膜機鍍膜工藝。

其實從一般的金屬靶材濺射、反應濺射、偏壓濺射等,伴隨著工業需求及新型磁控濺射技術的出現,低壓濺射、高速沉積、自支撐濺射沉積、多重表面工程以及脈沖濺射等新型工藝成為目前該領域的發展趨勢。低壓濺射的關鍵問題是在低壓(一般是指<011Pa)下,電子與氣體原子的碰撞幾率降低,在常規磁控濺射技術中不足以維持靶材表面的輝光放電,導致濺射沉積無法繼續進行。通過優化磁場設計,使得電子空間運動距離延長,非平衡磁控濺射技術可以實現在10-2Pa等級的真空下進行濺射沉積。另外,通過外加電磁場約束電子運動可以實現更低壓強下的濺射沉積。進行高速沉積可以極大的提高工作效率、減少工作氣體消耗以及獲得新型膜層。實現高速沉積主要需要解決的問題是在提高靶材電流密度的同時,不會產生弧光放電;由于功率密度的提高,靶材、襯底的冷卻能力需要相應提高等。目前,已經實現了靶材功率密度超過100W/cm2,沉積速率超過1μm/min。