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脈沖激光沉積系統(tǒng)特點及優(yōu)勢

可根據客戶需求定制產品，靈活性高，并提供專業(yè)的技術支持；靶臺可以安裝6個靶位，靶材更換靈活；樣品臺樣品尺寸從10x10mm樣品到2英寸樣品均適用；進樣室可以存儲多個靶和樣品；交易過程無需繁瑣的進、出關手續(xù), 交貨期短，性價比高；

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脈沖激光沉積選件介紹

激光分子束外延(Laser MBE )

激光MBE 是普遍采用的術語，該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測的反射高能電子衍射（RHEED）的聯合應用，用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長的單分子水平控制。

正確的設計是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數

RHEED 通常在高真空（<10-6 torr）環(huán)境下使用。然而，因為在某些特殊情況下，PLD 采用較高的壓力，差動抽氣是必要的，

維持RHEED 槍的工作壓力，同時保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時，設計完整的系統(tǒng)消除磁場對電子束的影響是至關重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達到500 mTorr 時所需的單分子層控制。

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