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真空鍍膜設備離子鍍膜上的方法

真空鍍膜設備多弧離子鍍膜上的方法，所謂多弧離子鍍膜就是置待鍍材料和被鍍基板于室內，真空鍍膜機多弧離子鍍膜采用一定方法加熱待鍍材料，使之蒸發或升華，并飛行濺射到被鍍基板表面凝聚成膜的工藝。

多弧離子鍍膜的方法，在條件下成膜有很多優點，可減少蒸發材料的原子、分子在飛向基板過程中于分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發源材料間的化學反應（如氧化等），以及減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。

真空鍍膜設備多弧離子鍍膜工藝不僅避免了傳統表面處理的不足，且各項技術指標都優于傳統工藝，在五金、機械、化工、模具、電子、儀器等領域有廣泛應用。催化液和傳統處理工藝相比，在技術上有哪些？

1、多弧離子鍍膜不用電、降低了成本、成本僅為多弧離子鍍膜鎳的二分之一，真空鍍膜機多弧離子鍍膜鉻的三分之一，不銹鋼的四分之一，可反復利用，大大降低了成本。

2、多弧離子鍍膜易操作、工藝簡單、把金屬基件浸入兌好的液體中“一泡即成”，需要再加工時不經任何處理。

光學真空鍍膜機薄膜根據其用途分類、特性與應用可分為哪些膜

光學真空鍍膜機薄膜根據其用途分類、特性與應用可分為：反射膜、增透膜/減反射膜、濾光片、偏光片/偏光膜、補償膜/相位差板、配向膜、擴散膜/片、增亮膜/棱鏡片/聚光片、遮光膜/黑白膠等。相關衍生的種類有光學級保護膜、窗膜等。

光學真空鍍膜機光學薄膜的特點是：表面光滑，膜層之間的界面呈幾何分割;膜層的折射率在界面上可以發生躍變，但在膜層內是連續的;可以是透明介質，也可以是吸收介質;可以是法向均勻的，也可以是法向不均勻的。實際應用的薄膜要比理想薄膜復雜得多。這是因為：制備時，薄膜的光學性質和物理性質偏離大塊材料，起表面和界面是粗糙的，從而導致光束的漫反射;膜層之間的相互滲透形成擴散界面;由于膜層的生長、結構、應力等原因，形成了薄膜的各種向異性;膜層具有復雜的時間效應。

多弧離子真空鍍膜機的由來

我國在真空鍍膜行業，目前更多的應用都集中在裝飾方面，對能有效地提高關鍵部件使用壽命機械功能薄膜的制備設備、工藝及應用研究方面還遠遠落后于國外先進水平。同時，裝飾鍍方面也逐漸向耐磨和裝飾雙重功能的方向發展，之前的離子鍍膜機已體現出不能滿足裝飾鍍要求的問題。本技術的研發成功，將打破國內機械功能耐磨減摩薄膜完全依靠國外技術的被動局面；對提高我國裝備制造業的技術水平和真空離子鍍的技術發展都是一個非常好的作用。另外，將制備的耐磨減摩薄膜應用于其它關鍵部件中，起到了非常好的節約能源和提率的作用，可替代部分原來電鍍的工藝，對環境保護起到很好的作用。

目前，國際上機械功能硬質薄膜（特別是刀具用膜層）大多采用陰極電弧沉積技術，但陰極電弧沉積存在的主要技術問題是所制備的膜層表面不夠光潔，有較多的顆粒，影響應用性能；特別是國內制造的陰極電弧沉積設備顆粒問題尤為嚴重。在此技術基礎上引入磁過濾技術，雖可解決表面沉積的顆粒問題，但沉積效率只有原來的1/10左右，并且沉積面積小，從而使生產周期長，制造成本高，不適合大批量鍍膜生產應用。而磁控濺射技術所制備的膜層表面光潔、細膩，沉積速率適中，能均勻地大面積沉積薄膜。但磁控濺射技術也存在離化率低（一般在10％），所制備的膜層在硬度、耐磨性及結合力上不如陰極電弧技術所制備的膜層；在進行化學反應性鍍膜（如TiN、TiO2）時，由于金屬粒子的離化率低、反應活性差，必須過量通入反應性氣體，造成磁控靶面的毒化（化學反應），引起蒸發速率急劇降低等一系列雪崩式后果，使得磁控濺射反應鍍膜存在著不穩定性和不可控性。