磁控濺射鍍膜設備廠家服務為先「沈陽鵬程」

線列式磁控生產線

沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業生產、銷售磁控濺射產品，我們為您分析該產品的以下信息。

采用先進的in-line產線結構，Twin-Mag孿生陰極磁控濺射技術，并配以全自動控制系統、先進的真空系統，可在玻璃襯底上鍍制SiO2、ITO、AZO、Al、Ni、Ti等各類絕緣介質薄膜、金屬或合金薄膜，并可連續濺鍍多種不同材質的薄膜構成復合多膜層結構，適合大規模光學、電學薄膜的生產，做到一機多用具有高能效、高可靠性、低成本的優勢。光纖磁控濺射鍍膜機組成以下內容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供，希望對同行業的朋友有所幫助。

     本產品可廣泛應用于觸摸屏ITO鍍膜、LCD顯示屏ITO鍍膜、薄膜太陽能電池背電極及AZO鍍膜、彩色濾光片鍍膜、電磁屏蔽玻璃鍍膜、AR鍍膜、裝飾鍍膜等產業領域。

磁控濺射的工作原理

想要了解更多磁控濺射產品的相關內容，請及時關注沈陽鵬程真空技術有限責任公司網站。

磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于磁控濺射一條擺線。若為環形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，并且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場E的作用下沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。磁控濺射鍍膜設備技術含量高，那么就一定要擁有一個非常強大的磁控濺射鍍膜設備技術工程隊伍，磁控濺射鍍膜設備行業資深的專家，磁控濺射鍍膜設備可根據用戶的產品工藝及物殊要求設計配置。

磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經歷復雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯過程。在這種級聯過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來。

磁控濺射鍍膜機的工作原理是什么？

磁控濺射原理：電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與原子發生碰撞，電離出大量的離子和電子，電子飛向基片。離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與原子發生碰撞電離出大量的離子轟擊靶材，經過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠離靶材，沉積在基片上。磁控濺射就是以磁場束縛和延長電子的運動路徑，改變電子的運動方向，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片，真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用（ E X B drift）使單個電子軌跡呈三維螺旋狀，而不是僅僅在靶面圓周運動。至于靶面圓周型的濺射輪廓，那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時間。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關系。在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射，多弧鍍靶源，離子源，等離子源等都在次原理下工作。所不同的是電場方向，電壓電流大小而已

沈陽鵬程真空技術有限責任公司本著多年磁控濺射產品行業經驗，專注磁控濺射產品研發定制與生產，先進的磁控濺射產品生產設備和技術，建立了嚴格的產品生產體系，想要更多的了解，歡迎咨詢圖片上的熱線電話！！！