封裝用IGBT測試儀加工值得信賴 華科半導體器件測試儀

（2）主要技術參數 1）基本參數 功率源： 5000V 1200A 2）柵極-發射極漏電流IGES IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA 集電極電壓VCE： 0V 柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0.1V 3）集電極-發射極電壓 集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓Vge： 0V 4）集電極-發射極飽和電壓VCESat VCESat：0.2-5V 柵極電壓Vge： ±15V±2%±0.2V 集電極電流ICE： 10-1200A±2%±1A 5）集電極-發射極截止電流ICES 集電極電壓VCE： 100-5000V±3% 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓VGE： 0V 6）柵極-發射極閾值電壓 VGEth： 1-10V±2%±0.1V Vce： 12V 集電極電流ICE： 30mA±3% 7）二極管壓降測試 VF： 0-5V±2%±0.01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V

什么是大功率半導體元件？其用途為何？

凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。2 機臺可測IGBT項目 及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導通電壓 可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3。此類元件多用于車船，工廠的動力，光電及其他能源的轉換上。

測試參數多且完整、應用領域更廣泛，但只要使用其基本的2項功能：「開啟」電流壓降，「關閉」電流的漏電流，就可知道大功半導體有沒有老化的現象。

?可移動型儀器，使用方便，測試簡單快速，立即提供測試結果與數值。

?適用的半導體元件種類多，尤其能測大功率元件。

?用戶能確實掌握新采購元件的質量，避免用到瑕疵或品。

?完全由計算機控制、快速的設定參數。

?適用于實驗室和老化篩選的測試。

?操作非常簡單、速度快。

?完全計算機自動判斷、自動比對。