成都硅酸鋁微波催化設(shè)備廠家產(chǎn)品介紹 科弘微波正規(guī)廠家

微波螺旋輪胎裂解設(shè)備：包括機(jī)殼,控制面板和動(dòng)力部分,其中,機(jī)殼的上部為微波發(fā)生器,機(jī)殼的下部為微波作用腔,在微波作用腔內(nèi)沿縱向設(shè)置有螺旋推進(jìn)軸,該螺旋推進(jìn)軸的一端與動(dòng)力機(jī)傳動(dòng)連接;在機(jī)殼上分別設(shè)置進(jìn)料口和排氣口,在機(jī)殼下端設(shè)置排渣口,所述進(jìn)料口和排氣口與微波作用腔的上側(cè)連通,所述排渣口位于微波作用腔的底部傳輸末端.?本實(shí)用新型具有加熱均勻,裂解,效果好的優(yōu)點(diǎn);采用螺旋葉片進(jìn)行物料的推進(jìn)和翻動(dòng),使物料加熱充分均勻;采用不停機(jī)連續(xù)進(jìn)出料技術(shù),實(shí)現(xiàn)循環(huán)工作,提高輪胎裂解工作效率;采用獨(dú)立控制系統(tǒng),自動(dòng)化程度高,節(jié)約人力資源,微波容易控制,達(dá)到正常工作所需要的時(shí)間短,加熱處理效果好.




一種低溫多晶硅制備方法及微波加熱設(shè)備.其中,該低溫多晶硅的制備方法包括:提供一基板;在所述基板的一側(cè)形成非晶硅層;進(jìn)行微波加熱,將所述非晶硅層晶化為多晶硅層;其中,在所述基板的一側(cè)形成非晶硅層之前,和/或,在所述基板的一側(cè)形成非晶硅層之后以及在進(jìn)行微波加熱將所述非晶硅層晶化為多晶硅層之前,還包括:形成晶化誘導(dǎo)膜.本發(fā)明實(shí)施例提供的低溫多晶硅制備方法和微波加熱設(shè)備,可以解決常規(guī)多晶硅退火工藝晶化均一性低,工藝難度大,產(chǎn)品良率低的問(wèn)題,使多晶硅制備溫度有效降低,晶粒也更加均勻,同時(shí),可以降低制備工藝難度和設(shè)備成本,獲得成本更低,品質(zhì)更高且良率更高的多晶硅產(chǎn)品.




選擇性加熱，節(jié)能高能效果。微波對(duì)具有不同介質(zhì)特性的材料有不同的影響，這對(duì)干燥和加工特性非常有利。因?yàn)樗肿訉?duì)微波的吸收效果很好，所以水分很高的部分吸收的微波功率很大。它僅直接加熱可以吸收微波能量的物體，而幾乎不加熱爐體和爐腔中的空氣。用微波加熱時(shí)，一般將加熱后的物料排出到金屬制的加熱容器中，加熱腔是一個(gè)封閉的無(wú)線電波腔，微波不能泄漏出去，只能被加熱物體吸收，空氣加熱腔內(nèi)及相應(yīng)的容器中不會(huì)加熱，因此熱效率非常高，因此高能效果，節(jié)能并改善了工作環(huán)境。




發(fā)泡用微波加熱設(shè)備,包括支撐腳,豎桿,微波發(fā)生器,電機(jī),主動(dòng)輥和間歇傳送機(jī)構(gòu),本實(shí)用新型通過(guò)在防護(hù)罩后端設(shè)置了間歇傳送機(jī)構(gòu),當(dāng)模具移動(dòng)至到驅(qū)動(dòng)桿上端時(shí),驅(qū)動(dòng)桿將模具卡住,阻止模具的運(yùn)動(dòng),接下來(lái)轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)動(dòng)帶動(dòng)轉(zhuǎn)盤(pán)進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng),使轉(zhuǎn)盤(pán)往前端推動(dòng)限位齒解除對(duì)棘輪的限位,從而使磨具通過(guò)驅(qū)動(dòng)桿帶動(dòng)固定盤(pán)和轉(zhuǎn)桿進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng),使轉(zhuǎn)桿帶動(dòng)棘輪進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng),隨著轉(zhuǎn)盤(pán)繼續(xù)轉(zhuǎn)動(dòng),上端的凸塊解除對(duì)限位齒的推動(dòng),使限位齒卡于棘輪下一個(gè)凹槽內(nèi),使驅(qū)動(dòng)桿對(duì)下一個(gè)模具進(jìn)行限位,達(dá)到了能夠?qū)δ＞哌M(jìn)行間歇傳送,對(duì)發(fā)泡時(shí)間進(jìn)行調(diào)控的優(yōu)點(diǎn).