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發布時間：2021-01-01 17:23
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可以采用滿版印刷、刷涂、滾涂或噴涂的方式，對油墨涂層的均一性要求不是很高，只要能保證涂層能夠在蝕刻時對產品需保護部位得到充分的保護。
此工序和制作網板中的涂布工序差不多，只是制作網板是在網砂上涂感光油墨，而金屬蝕刻是直接在工件表面涂布
熱風預烘干（30-40℃，10-15分）
目的只是防止曝光時感光油墨粘住菲霖。要在暗室中進行操作。
曝光
高壓燈、碘燈、金屬鹵素燈。
時間：二十秒左右，抽真空；根據工件的精度要求適當調整曝光時間。精度要求越高，曝光時間要適當縮短
顯影
對于水光油墨，可采用1%碳酸鈉水溶液或直接用清水，溫度25-30℃，手工顯影或噴射顯影。
對于油光油墨，可采用進行手工顯影或噴射顯影。
蝕刻
1.化學蝕刻
蝕刻液一般都是強酸或強堿。盡可能使反應快速完成，一般蝕刻速度為0.04mm/分鐘，蝕刻速度越快，側蝕的程度就越小，所得到的工件精密度就越高。
2.電化學蝕刻
把工件做陽極，在電解液中通電，工件上未被保護部位因作陽極而溶解，從而達到蝕刻的目的。電化學蝕刻的蝕刻速率一般由工件表面的電流密度來控制。
對于蝕刻完成既為成品的產品，直接退去保護油墨。要根據所采用的油墨性質來選用脫墨液：
1.對于水性油墨，可采用20%水溶液/50~60℃浸泡約十分鐘，然后擦拭，去除油墨。
2.對于油性油墨，要用進行浸泡約十分鐘，然后進行擦洗去除。
對于蝕刻的成品，進行手工填漆、電泳涂裝或者電鍍，從而形成同一平面兩種雙色甚至多種顏色的外觀效果
光刻機和刻蝕機的區別:
刻蝕相對光刻要容易。光刻機把圖案印上去，然后刻蝕機根據印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒有圖案）的部分，留下剩余的部分。
“光刻”是指在涂滿光刻膠的晶圓（或者叫硅片）上蓋上事先做好的光刻板，然后用紫外線隔著光刻板對晶圓進行一定時間的照射。原理就是利用紫外線使部分光刻膠變質，易于腐蝕。
“刻蝕”是光刻后，用腐蝕液將變質的那部分光刻膠腐蝕掉（正膠），晶圓表面就顯出半導體器件及其連接的圖形。然后用另一種腐蝕液對晶圓腐蝕，形成半導體器件及其電路。
