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第三代半導體材料，主要代表碳化硅和氮化相對于前兩代半導體材料而言，在高溫、高壓、高頻的工作環境下有著明顯的優勢。

碳化硅早在1842年就被發現了，直到1955年才開發出生長高品質碳化硅晶體材料的方法，1987年商業化生產的的碳化硅才進入市場，21世紀后碳化硅的商業應用才算鋪開。

與硅相比，碳化硅具有更高的禁帶寬度，禁帶寬度越寬，臨界擊穿電壓越大，高電壓下可以減少所需器件數目。具有高飽和電子飄逸速度，制作的元件開關速度大約是硅的3-10倍，高壓條件下能高頻操作，所需的驅動功率小，電路能量損耗低。具有高熱導率，可減少所需的冷卻系統，也更適用于高功率場景下的使用，一般的硅半導體器件只能在100℃以下正常運行，器件雖然能在200℃以上工作，但是效率大大下降，而碳化硅的工作溫度可達600℃，具有很強的耐熱性。并且混合SIC器件體積更小，工作損耗的降低以及工作溫度的上升使得集成度提高，體積減小。

目前，吸波材料在各個領域中的應用越來越廣泛。尤其在領域，為了加強自身建設，通常將吸波材料涂層應用于戰斗表面，以達到“隱身”的目的。吸波材料在裝備力量與電子科技中占據重要地位。

在國際上，美國對吸波材料作為“隱身材料”的應用已經較為成熟，例如，美國將吸波性能良好的碳化硅材料作為涂層涂于軍事表面，減弱目標向外散發的雷達特征與紅外線等，使得敵軍無法檢測到目標，從而在中占據優勢 [1-2]。在海灣和科索沃，人們都可以看到有關“隱身材料”的應用經驗。因此，吸波材料作為“隱身”技術的應用越來越重要，為增強我國軍事實力，建設事業，必須對吸波材料進行深入研究與應用。

較為常見的吸波材料為碳化硅，可以用于一些電子設備、屏蔽設備等，尤其在信息化中，可以減弱目標的光電特征、紅外信號等 [3]。碳化硅作為吸波材料，分為不同的類型，如鐵磁金屬微粉吸波材料、鐵氧體吸波材料、納米吸波材料、多晶鐵纖維吸波材料、陶瓷吸波材料、導電高聚物吸波材料。本文就通過試驗研究碳化硅涂層的吸波性能，以期為事業作出貢獻。

討論

通過試驗可得，碳化硅涂層越薄，吸波能力越低；涂層中所含碳化硅含量越低，吸波能力越低。當涂層厚度與碳化硅含量達到標準時，涂層可承受 250℃高溫。在 150℃環境中，厚度為 1mm 的碳化硅涂層吸收強度保持在 20dB 左右。

通過對比分析可知，碳化硅涂層的適吸波能力為1mm，碳化硅涂層的多波段吸收可以跨越不同厚度的涂層。隨著碳化硅涂層厚度的減小，涂層吸收峰的峰位逐漸轉為高頻。

在一定范圍內，吸收峰的峰位變化與碳化硅含量成正比，碳化硅含量增加，則吸收峰峰位向高頻移動。相反，涂層厚度與吸收峰的峰位成反比，厚度增加，則吸收峰峰位移向低頻段。當涂層厚度 1mm 時，碳化硅涂層的吸波性能佳。