廢舊耐火磚長年回收點擊了解更多「佰潤商貿」

氮化硅磚采用硅粉氮化后燒結或熱壓方法制取

制取方式氮化硅磚選用硅粉滲氮后煅燒或壓合方式制取。燒造氮化硅磚的生產工藝流程與鎂質磚大致差不多。以便清除磚在燒制全過程中因為MgO和Cr2O3、Al2O3或立即融合氮化硅磚。3、熱膨脹系數小，相比碳化硅等制品熱導率高，不易產生熱應力，具有良好熱震穩定性，使用壽命長。優勢氮化硅磚耐火性高，高溫抗壓強度大，抗偏堿渣腐蝕性強，耐熱性，對酸性渣也是有一定的適應能力。運用用以航空公司、冶金、機械設備、半導體等工業生產中生產制造耐高溫軸承、冶金鉗鍋、半導體地區冶煉舟器等。

Si3N4的使用溫度一般不超過1300°C

氮化硅的很多性能都歸結于此結構。純Si3N4為3119，有α和β兩種晶體結構，均為六角晶形，其分解溫度在空氣中為1800℃，在110MPa氮中為1850℃。Si3N4 熱膨脹系數低、導熱率高。本產品用于鋁電解槽可減薄工作層，擴大電解槽的容積，具有高的導熱性能、性能和抗冰晶石侵蝕性能，對高功率鋁電解槽尤為適用。熱壓燒結的氮化硅加熱到l000℃后投入冷水中也不會。在不太高的溫度下，Si3N4 具有較高的強度和抗沖擊性，但在1200℃以上會隨使用時間的增長而出現破損，使其強度降低，在1450℃以上更易出現疲勞損壞，所以Si3N4 的使用溫度一般不超過1300℃。

如果要在半導體基材上沉積氮化硅，有兩種方法可供使用：

利用低壓化學氣相沉積技術在相對較高的溫度下利用垂直或水平管式爐進行。

等離子體增強化學氣相沉積技術在溫度相對較低的真空條件下進行。

氮化硅的晶胞參數與單質硅不同。因此根據沉積方法的不同，生成的氮化硅薄膜會有產生張力或應力。特別是當使用等離子體增強化學氣相沉積技術時，能通過調節沉積參數來減少張力。

先利用溶膠凝膠法制備出二氧化硅，然后同時利用碳熱還原法和氮化對其中包含特細碳粒子的硅膠進行處理后得到氮化硅納米線。硅膠中的特細碳粒子是由葡萄糖在1200-1350℃分解產生的。