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發(fā)布時間：2021-09-08 20:56
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目前市場主流常規(guī)水平式蝕刻機，在板子雙面同時噴淋蝕刻過程中，顯然下表面蝕刻速度與蝕刻均勻性要比上表面好，上表面的板四周蝕刻速度快于中間部位。這主要由于通常的噴淋蝕刻過程中板子上表面會形成蝕刻液的“水池”，嚴重影響蝕刻均勻性與引起側(cè)蝕。
真空蝕刻機的一組模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)設(shè)有加裝智能吸水系統(tǒng)套件，吸取板面走蝕刻液，不使蝕刻液滯留在板面。真空吸液盤固定在橋板上離基板調(diào)為的距離位置。 如0.2mm厚以下的板子精度達到 -0.01mm，相比常規(guī)蝕刻機高出一倍，產(chǎn)能相比常規(guī)蝕刻機高出三分之一，同樣也提。使用該真空技術(shù)給企業(yè)改善精工制造也帶來強大的核心競爭力！
什么是蝕刻機
或許在很多人看來，刻蝕技術(shù)并不如光刻機那般“”，但刻蝕在芯片的加工和生產(chǎn)過程中同樣不可或缺。刻蝕機主要工作是按照前段光刻機“描繪”出來的線路來對晶片進行更深入的微觀雕刻，刻出溝槽或接觸孔，然后除去表面的光刻膠，從而形成刻蝕線路圖案。
在芯片制造領(lǐng)域，光刻機像是前端，而蝕刻機就是后端。光刻機的作用是把電路圖描繪至覆蓋有光刻膠的硅片上，而蝕刻機的作用就是按照光刻機描繪的電路圖把硅片上其它不需要的光刻膠腐蝕去除，完成電路圖的雕刻轉(zhuǎn)移至硅片表面。兩者一個是設(shè)計者，一個是執(zhí)行者，整個芯片生產(chǎn)過程中，需要重復使用兩種設(shè)備，直至將完整的電路圖蝕刻到硅晶圓上為止。
目前，我國在蝕刻機領(lǐng)域已達到世界先進水平，尤其是中微半導體成功突破研制的5nm蝕刻機已于其它企業(yè)，而且得到了臺積電的驗證。真正面臨技術(shù)挑戰(zhàn)，也是被卡脖子的領(lǐng)域是光刻機。不過日前中科院院長白春禮表示，已將光刻機等技術(shù)難度較高的產(chǎn)品列入科研清單，未來將集中力量對這些“卡脖子”的技術(shù)進行攻關(guān)。相信未來光刻機技術(shù)也會實現(xiàn)重大突破。
蝕刻機和光刻機的區(qū)別
這倆設(shè)備非常簡單的表述便是光刻機把原理圖投射到遮蓋有光刻膠的硅片上邊，刻蝕機再把剛剛畫了原理圖的硅片上的不必要原理圖浸蝕掉，那樣看上去好像沒有什么難的，可是有一個品牌形象的形容，每一塊集成ic上邊的電源電路構(gòu)造變大成千上萬倍看來比全部北京市都繁雜，這就是這光刻和蝕刻加工的難度系數(shù)。
光刻的全過程就是目前制做好的硅圓表面涂上一層光刻膠(一種能夠被光浸蝕的膠狀物化學物質(zhì))，下面根據(jù)光源(加工工藝難度系數(shù)紫外線＜深紫外線＜極紫外線)通過掩膜照射硅圓表面(相近投射)，由于光刻膠的遮蓋，照射的一部分被浸蝕掉，沒有陽光照射的一部分被留下，這一部分就是必須 的電源電路構(gòu)造。
蝕刻加工分成二種，一種是干刻，一種是濕刻(現(xiàn)階段流行)，說白了，濕刻便是全過程中存水添加，將上邊歷經(jīng)光刻的圓晶與特殊的化學溶液反映，除掉不用的一部分，剩余的就是電源電路構(gòu)造了，干刻現(xiàn)階段都還沒完成商業(yè)服務(wù)批量生產(chǎn)，其基本原理是根據(jù)等離子技術(shù)替代化學溶液，除去不用的硅圓一部分。 
