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鍍膜工藝流程中工藝參數(shù)的控制和對膜層沉積的影響

靶基距：靶基距是影響成膜速率的重要因素之一，隨著靶基距增加，被濺射材料射向基片時與氣體分子碰撞的次數(shù)增多，同時等離子體密度也減弱，動能減少，沉積速率降低，但膜層外觀較好。靶基距太小，沉積太快，工件溫升大，膜層外觀差。

靶功率；ya氣越少，靶材濺射量越少，但真空度越高,氣體分子自由程越大，散射越少，粒子碰撞幾率越小，粒子遷移過程中損失的動量越少，沉積速率越大。磁控濺射本身粒子初始動能比較小，離化率低，電源功率越大，濺射出的粒子的初始能量越大，靶材濺射量也越大，沉積速率越快，膜層容易上厚度和硬度，同時工件溫升也大，過高的功率會使沉積速率太快，粒子來不及表面遷移和擴散，易形成陰影效應(yīng)，膜層會比較疏松，應(yīng)力較大。

佛山市錦城鍍膜有限公司以耐高溫車輛燈具注塑 鍍膜為主的專業(yè)生產(chǎn)廠家，公司秉承“以質(zhì)取勝，求真務(wù)實，顧客至上”理念，歡迎廣大客戶光臨了解,我們將為你的產(chǎn)品錦上添花.

真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空蒸鍍是將沉積材料與工件同放在真空室中，然后加熱沉積材料使之迅速熔化蒸發(fā)，當(dāng)蒸發(fā)原子與冷工件表面接觸后便在工件表面上凝結(jié)形成具有一定厚度的沉積層日。

光學(xué)薄膜應(yīng)用反應(yīng)磁控濺射技術(shù)已有多年，中頻閉合場非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜（如增透膜）、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃目前廣泛應(yīng)用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。

有機鍍膜與無機鍍膜的根本區(qū)別

真正的玻璃鍍膜應(yīng)為純無機質(zhì)成分，成膜后不應(yīng)含有任何j基團（CH3）。利用紅外線光譜吸收分析法，可以了解各種鍍膜原料的內(nèi)部化學(xué)成分，這是區(qū)別真假無機質(zhì)鍍膜產(chǎn)品的重要科學(xué)依據(jù)。