CCD傳感器廠家全國發貨 研新

CCD是電荷耦合器件(charge-coupled device), 它使用一種高感光度的半導體材料（p-Si）制成，能把光轉變成電荷。在一個用于感光的CCD中，有一個光敏區域（硅的外延層），和一個由移位寄存器制成的傳感區域。圖像通過透鏡投影在一列電容上（光敏區域），導致每一個電容都積累一定的電荷，而電荷的數量則正比于該處的入射光強。在柵電極（G）中，施加正電壓會產生勢阱（黃），并把電荷包（電子，藍）收集于其中。

假設電荷存儲在電極①(加有10V電壓)下面的勢阱中，如圖2(a)所示，加在CCD所有電極上的電壓，通常都要保持在高于某一臨界值電壓Vth，Vth稱為CCD閾值電壓，設Vth=2V。所以每個電極下面都有一定深度的勢阱。顯然，電極①下面的勢阱深，如果逐漸將電極②的電壓由2V增加到10V，這時，①、②兩個電極下面的勢阱具有同樣的深度，并合并在一起，原先存儲在電極①下面的電荷就要在兩個電極下面均勻分布，(b)和(c)所示，然后再逐漸將電極下面的電壓降到2V，使其勢阱深度降低，(d)和(e)所示，這時電荷全部轉移到電極②下面的勢阱中，此過程就是電荷從電極①到電極②的轉移過程。如果電極有許多個，可將其電極按照1、4、7…，2、5、8…和3、6、9…的順序分別連在一起，加上一定時序的驅動脈沖，即可完成電荷從左向右轉移的過程。用3相時鐘驅動的CCD稱為3相CCD。

對某像素掃描并讀出其信號電荷之后，下一次掃描后讀出信號仍受上次遺留信號電荷影響的現象叫殘像。等效噪聲曝光量:產生與暗輸出(電壓)等值時的曝光量稱為傳感器的等效噪聲曝光量。CMOS針對CCD的優勢就是非常省電，不像由二極管組成的CCD，CMOS 電路幾乎沒有靜態電量消耗，只有在電路接通時才有電量的消耗。

由于CMOS傳感器的每個感光二極管都需搭配一個放大器，而放大器屬于模擬電路，很難讓每個放大器所得到的結果保持一致，因此與只有一個放大器放在芯片邊緣的CCD傳感器相比，CMOS傳感器的噪聲就會增加很多，影響圖像品質。例如，市面上CMOS傳感器可達到210萬象素的水平(OmniVision的 OV2610，2002年6月推出)，其尺寸為1/2英寸，象素尺寸為4.25μm，但在2002年12月推出了ICX452，其尺寸與 OV2610相差不多(1/1.8英寸)，但分辨率卻能高達513萬象素，象素尺寸也只有2.78μm的水平。