氧化鋅晶體廠家-定制尺寸 合肥合瑞達(dá)型號齊全

氧化鋅（ZnO）單晶是具有半導(dǎo)體、發(fā)光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是高1性能的移動通訊基片材料和優(yōu)1秀的閃爍材料；此外，氧化鋅（ZnO）與GaN的晶格失配度特別小，是GaN外延生長理想的襯底材料。同時由于具有可見區(qū)透明，機(jī)電耦合系數(shù)大，能使氣體分子在其表面的吸附－解析等性質(zhì),有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑高質(zhì)量的GaN的襯底、未來的5GHz之外的無線通信、高電場設(shè)備、高溫高能電子器件、高電場設(shè)備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應(yīng)用。

氧化鋅（ZnO）是一致熔融化合物,熔點為1975℃。由于高溫下氧化鋅（ZnO）的揮發(fā)性很強(qiáng)，傳統(tǒng)的提拉法等熔體生長工藝很難獲得氧化鋅（ZnO）晶體體單晶。作為氧化鋅單晶的培養(yǎng)方法，已知有利用水熱合成法的培養(yǎng)方法。水熱合成法是 在高溫高壓的原料水溶液中培養(yǎng)晶體的方法，是利用由溫差引起的過飽和度使晶體在晶種 上析出的方法。

氧化鋅晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)良的光電、導(dǎo)電、壓電、氣敏、壓敏等特性。ZnO半導(dǎo)體室溫帶隙為3.37eV,且束縛激子能高達(dá)60MeV,使其在紫外半導(dǎo)體光電器件方面具有很大潛在應(yīng)用價值。制備難度和誘人的應(yīng)用前景使得氧化鋅晶體的生長技術(shù)成為材料研究的熱點。氧化鋅晶體可控生長的關(guān)鍵是控制成核和生長過程,而試驗中各工藝參數(shù)決定著成核和生長過程,控制了氧化鋅晶體的尺寸。

氧化鋅（ZnO），俗稱鋅白，是鋅的一種氧化物。難溶于水，可溶于酸和強(qiáng)堿。氧化鋅是一種常用的化學(xué)添加劑，廣泛地應(yīng)用于塑料、硅酸鹽制品、合成橡膠、潤滑油、油漆涂料、藥膏、粘合劑、食品、電池、阻燃劑等產(chǎn)品的制作中。氧化鋅的能帶隙和激子束縛能較大，透明度高，有優(yōu)異的常溫發(fā)光性能，在半導(dǎo)體領(lǐng)域的液晶顯示器、薄膜晶體管、發(fā)光二極管等產(chǎn)品中均有應(yīng)用。此外，微顆粒的氧化鋅作為一種納米材料也開始在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)揮作用。