NR21 20000P光刻膠公司規格尺寸【賽米萊德】

光刻膠分類

市場上，光刻膠產品依據不同標準，可以進行分類。依照化學反應和顯影原理分類，光刻膠可以分為正性光刻膠和負性光刻膠。使用正性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相同；使用負性光刻膠工藝，形成的圖形與掩膜版相反。

按照感光樹脂的化學結構分類，光刻膠可以分為①光聚合型，采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發單體聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特點；2μmResistThicknessNR71-1000PY0。②光分解型，采用含有疊氮醌類化合物的材料，其經光照后,發生光分解反應，可以制成正性膠；③光交聯型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。

按照曝光波長分類，光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同，通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越小，加工分辨率越佳。依照化學反應和顯影原理分類，光刻膠可以分為正性光刻膠和負性光刻膠。

光刻膠國際化發展

業內人士認為，按照現在“單打獨斗”的研發路徑，肯定不行。政府相關部門要加大產業政策的配套支持力度，應從加快完善整個產業鏈出發，定向梳理國內缺失的、產業依賴度高的關鍵核心電子化學品，要針對電子化學品開發難度高，檢測設備要求高的特點，組織匯聚一些優勢企業和專家，形成一個產業聯盟，國家建立一個生產應用示范平臺，集中力量突破一些關鍵技術。曝光時間，由光源強度，光刻膠種類，厚度等決定，另外，為降低駐波效應影響，可在曝光后需進行烘焙，稱為光后烘焙（PEB）。

江蘇博硯電子科技有限公司董事長宗健表示，光刻膠要真正實現國產化，難度很大。問題是國內缺乏生產光刻膠所需的原材料，致使現開發的產品碳分散工藝不成熟、碳漿材料不配套。而作為生產光刻膠重要的色漿，至今依賴日本。前道工藝出了問題，保證不了科研與生產，光刻膠國產化就遙遙無期。近些年來，全球半導體廠商在中國大陸投設多家工廠，如臺積電南京廠、聯電廈門廠、英特爾大連廠、三星電子西安廠、力晶合肥廠等。因此，必須通過科研單位、生產企業的協同創新，盡快取得突破。

有專家提出，盡管國產光刻膠在面板一時用不起來，但政府還是要從政策上鼓勵國內普通面板的生產企業盡快用起來。只有在應用過程中才能發現問題，解決問題，不斷提升技術、工藝與產品水平，實現我國關鍵電子化學品材料的國產化，完善我國集成電路的產業鏈，滿足國家和重點產業的需求。有專家提出，盡管國產光刻膠在面板一時用不起來，但政府還是要從政策上鼓勵國內普通面板的生產企業盡快用起來。

光刻膠

光增感劑

是引發助劑，能吸收光能并轉移給光引發劑，或本身不吸收光能但協同參與光化學反應，起到提高引發效率的作用。

光致產酸劑

吸收光能生成酸性物質并使曝光區域發生酸解反應，用于化學增幅型光刻膠。

助劑

根據不同的用途添加的顏料、固化劑、分散劑等調節性能的添加劑。

主要技術參數

分辨率（resolution）

是指光刻膠可再現圖形的小尺寸。一般用關鍵尺寸來（CD，CriticalDimension）衡量分辨率。