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發布時間：2021-04-02 05:54
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電子芯片和LED芯片有什么主要區別？
電子芯片和LED芯片有什么主要區別？
1，芯片的裸die尺寸相差不是太大，如cm/mm/0.1mm這個量級，但同樣大小的集成電路里面有非常復雜的電路（常說的7nm/10nm工藝），IC設計和制造一樣為非常復雜高難度的工程，由此衍生既像Intel、三星這樣設計制造一體的公司，也有高通、蘋果這樣的Fabless公司及臺積電這樣的專業代工廠；而分立器件一顆die就是獨立的一個發光源再加上正負電極，里面的制程可能100um/10um級就夠了，制造工藝流程也簡單很多，從頭到尾一百次左右工序就差不多了。更談不上獨立的LED IC設計公司。
2，芯片制造廠對清潔和低缺陷率要求很高，前者可能影響性能，缺陷多了，載流子移動速度上不來，如同一批貨，有的能跑2.8GHz頻率，有的只能跑2G以下；LED芯片對發光層缺陷率的要求比硅器件還要高幾個數量級（印象中數據），否則嚴重影響發光效率，也就是很大部分能量以熱能形式損失掉了。LED技術和產品已有幾十年歷史，但大規模使用（如液晶屏幕背光）是這二十年來的事情，材料不行導致發光效率低是首要原因。
什么是LED芯片呢？它有什么特點呢？
LED芯片制造主要是為了制造有效可靠的低歐姆接觸電極，并能滿足可接觸材料之間較為小的壓降及提供焊線的壓墊，同時盡可能的多地出光。
渡膜工藝一般用真空蒸鍍方法，4Pa高真空下，用電阻加熱或電子束轟擊加熱方法使材料熔化，并在低氣壓下BZX79C18變成金屬蒸氣沉積在半導體材料表面。
一般所用的P型接觸金屬包括AuBe、AuZn等合金，N面的接觸金屬常采用AuGeNi合金。
鍍膜后形成的合金層還需要通過光刻工藝將發光區盡可能多地露出來，使留下來的合金層能滿足有效可靠的低歐姆接觸電極及焊線壓墊的要求。
光刻工序結束后還要通過合金化過程，合金化通常是在H2或N2的保護下進行。
合金化的時間和溫度通常是根據半導體材料特性與合金爐形式等因素決定。
當然若是藍綠等芯片電極工藝還要復雜，需增加鈍化膜生長、等離子刻蝕工藝等。
用于半導體照明的芯片技術的發展主流是什么?
隨著半導體LED技術的發展，其在照明領域的應用也越來越多，特別是白光LED的出現，更是成為半導體照明的熱點。
但是關鍵的芯片、封裝技術還有待提高，在芯片方面要朝大功率、高光效和降低熱阻方面發展。
提高功率意味著芯片的使用電流加大，較為直接的辦法是加大芯片尺寸，現在普遍出現的大功率芯片都在1mm×1mm左右，使用電流在350mA.由于使用電流的加大，散熱問題成為突出問題，現在通過芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。
隨著LED技術的發展，其在照明領域的應用會面臨一個從未有的機遇和挑戰。
