阿勒泰地區污水管道高分子氟硅無需噴砂規格尺寸「金芝麻環保」

銀芝麻重防腐涂料——山東金芝麻環保

SiC所具有的高導熱性、高強度、熱膨脹低、與爐渣難以反映等優良特性被作為爐渣反應和高溫剝落嚴重部位耐火材料的主要原料使用。

隨著SiC加入量的增加其抗渣性能有一定的提高。SiC在高溫下的氧化是SiC質耐火材料損毀室溫主要原因，根據熱力學計算，SiC在高溫下氧化氣氛下的不穩定是十分顯著的，然后它卻可以在1600℃的氧化氣氛下長期使用，著很大程度上是由于形成SiO2保護膜的結果。

第三代半導體材料，主要代表碳化硅和氮化相對于前兩代半導體材料而言，在高溫、高壓、高頻的工作環境下有著明顯的優勢。

碳化硅早在1842年就被發現了，直到1955年才開發出生長碳化硅晶體材料的方法，1987年商業化生產的的碳化硅才進入市場，21世紀后碳化硅的商業應用才算鋪開。

與硅相比，碳化硅具有更高的禁帶寬度，禁帶寬度越寬，臨界擊穿電壓越大，高電壓下可以減少所需器件數目。具有高飽和電子飄逸速度，制作的元件開關速度大約是硅的3-10倍，高壓條件下能高頻操作，所需的驅動功率小，電路能量損耗低。具有高熱導率，可減少所需的冷卻系統，也更適用于高功率場景下的使用，一般的硅半導體器件只能在100℃以下正常運行，器件雖然能在200℃以上工作，但是效率大大下降，而碳化硅的工作溫度可達600℃，具有很強的耐熱性。并且混合SIC器件體積更小，工作損耗的降低以及工作溫度的上升使得集成度提高，體積減小。

硅化可在普通大氣壓的碳管爐內進行，硅化溫度必須大于2000℃。如果在66.65MPa的真空爐中進行，則硅化溫度可降到1500~1600℃。產生硅蒸氣所用的硅粉顆粒尺寸為0.991~4.699mm。在大氣壓力下硅化時，硅粉可裝在石墨坩堝里。在真空下硅化時，則應裝在氮化硼(BN)坩堝里，因為此時硅會滲入石墨中并作用形成碳化硅而使石墨坩堝，而氮化硼與硅不潤濕。硅化所需的時間依據硅化的溫度及在該溫度下的硅的揮發量的不同而變化。在硅化完成后，坩堝內通常不應該再有硅殘留而都蒸發了。由于蒸發而附著在制品表面上的硅可用熱的處理除去。自結合碳化硅制品的強度為一般碳化硅制品的7~10倍，且能力提高了。

目前，吸波材料在各個領域中的應用越來越廣泛。尤其在領域，為了加強自身建設，通常將吸波材料涂層應用于戰斗表面，以達到“隱身”的目的。吸波材料在裝備力量與電子科技中占據重要地位。

在國際上，美國對吸波材料作為“隱身材料”的應用已經較為成熟，例如，美國將吸波性能良好的碳化硅材料作為涂層涂于軍事表面，減弱目標向外散發的雷達特征與紅外線等，使得敵軍無法檢測到目標，從而在中占據優勢 [1-2]。在海灣和科索沃，人們都可以看到有關“隱身材料”的應用經驗。因此，吸波材料作為“隱身”技術的應用越來越重要，為增強我國軍事實力，建設事業，必須對吸波材料進行深入研究與應用。

較為常見的吸波材料為碳化硅，可以用于一些電子設備、屏蔽設備等，尤其在信息化中，可以減弱目標的光電特征、紅外信號等 [3]。碳化硅作為吸波材料，分為不同的類型，如鐵磁金屬微粉吸波材料、鐵氧體吸波材料、納米吸波材料、多晶鐵纖維吸波材料、陶瓷吸波材料、導電高聚物吸波材料。本文就通過試驗研究碳化硅涂層的吸波性能，以期為事業作出貢獻。