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發(fā)布時(shí)間:2021-07-07 02:56  
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測試的IGBT參數(shù)包括:ICES(漏流)、BVCES(耐壓)、IGESF(正向門極漏流)、IGESR(反向門極漏流)、VGETH(門檻電壓/閾值)、VGEON(通態(tài)門極電壓)、VCESAT(飽和壓降)、ICON(通態(tài)集極漏流)、VF(二極管壓降)、GFS(跨導(dǎo))、rCE(導(dǎo)通電阻)等全直流參數(shù), 所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測試精度, 大電流指標(biāo)保證2%以內(nèi)重復(fù)測試精度。4 硬件模塊 設(shè)備硬件部分應(yīng)包括測試主機(jī)、測試線纜,測試夾具、控制電腦等 * 1。
半導(dǎo)體元件全自動(dòng)測試系統(tǒng),可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓,并測量重要參數(shù)的數(shù)據(jù),再與原出廠指標(biāo)比較,由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊,都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng),以便在測試時(shí),提供內(nèi)部電路及電池組充電之用; 可選購?fù)獠扛邏耗K,執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測試如:各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測量達(dá)2KV。IGBT模塊VCE-IC特線(單管),Vcesat隨電流變大而增大。

目的和用途 該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊(IGBT、FRD、肖特基二極管等)的動(dòng)態(tài)參數(shù)測試,以表征器件的動(dòng)態(tài)特性,通過測試夾具的連接,實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測試。4驗(yàn)收和測試 3)驗(yàn)收試驗(yàn)應(yīng)在-10~40℃環(huán)境溫度下進(jìn)行,驗(yàn)收完成后測試平臺及外部組件和裝置均應(yīng)安裝在買方的位置上。 1.2 測試對象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導(dǎo)體模塊 2.測試參數(shù)及指標(biāo) 2.1開關(guān)時(shí)間測試單元技術(shù)條件 開通時(shí)間測試參數(shù): 1、開通時(shí)間ton:5~2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時(shí)間td(on):5~2000ns±3%±3ns 3、上升時(shí)間tr:5~2000ns±3%±3ns 4、開通能量: 0.2~1mJ±5%±0.01mJ 1~50mJ±5%±0.1mJ 50~100mJ±5%±1mJ 100~500mJ±5%±2mJ 5、開通電流上升率di/dt測量范圍:200-10000A/uS 6、開通峰值功率Pon:10W~250kW

7質(zhì)量保證要求 ?賣方應(yīng)通過ISO 9001質(zhì)量論證。 ?可移動(dòng)型儀器,使用方便,測試簡單快速,立即提供測試結(jié)果與數(shù)值。賣方所提供的元件,必須是經(jīng)過檢驗(yàn)合格的器件,否則,買方有權(quán)拒付貨款。 ?買方有權(quán)要求賣方委托第三方進(jìn)行有關(guān)參數(shù)的測試,以確保出廠測試的參數(shù)真實(shí)有效。 ?在調(diào)試期間發(fā)現(xiàn)元件有缺陷或受到損壞,應(yīng)由賣方負(fù)責(zé)免費(fèi)更換并予以賠償。 ?賣方由于自身原因而延遲交貨時(shí),買方有權(quán)按商務(wù)規(guī)定方法向賣方收取罰款。 ?賣方對技術(shù)規(guī)范保證數(shù)據(jù)的有效性及交貨保質(zhì)期等應(yīng)由雙方協(xié)商確定并簽署在合同中。
