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              廣州AF真空鍍膜機價格 至成鍍膜設備

              發布時間:2021-01-23 08:40  

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              ITO真空鍍膜設備生產特點


              1)真空室體資料選用SUS304,真空室內壁進行拋光處理,外壁選用拋光后噴珠處理。

              2)真空室之間選用獨立門閥-插板閥隔開,能夠完成有用隔斷,安穩技能氣體。現在咱們至成真空科技選用插板閥規劃,它比現在國內通用的翻板閥密封作用非常好,更經用。

              3)傳動選用磁導向,確保傳動的安穩性。整條出產線的各段速度選用變頻調速電機驅動,運轉速度可調理。

              4)真空電鍍設備電氣操控體系:觸摸屏與PLC自動操控,人機對話辦法來完成體系的數據顯現、操作與操控



              影響離子鍍膜層質量的工藝參數


              ①基片偏壓.

              離子鍍膜基片施加負偏壓后;各種離子和高能中性粒子流以較高的能量轟擊基片表面.基片負偏壓的提高,會使基片表面獲得更高的能量,可能形成偽擴散層,提高膜層與基體的附著力,還可以改變膜層的組織、結構和性能,如細化晶粒,圖2表明,隨著基片負偏壓的提高,膜層組織變細,但是,基片負偏壓的提高也會產生一些不利的影響,如反濺射作用的增加,使膜層表面受到刻蝕,使表面光潔程度降低,圖3表明了空心陰極離子鍍鉻時,基片負偏壓對鉻膜表面光澤度的影響,基片負偏壓的提高還會使沉積速率降低,使基片溫度升高,圖4表明了電弧離子鍍tin膜基片負偏壓對沉積速率的影響,因此,應根據不同的離子鍍方法、不同的膜層及使用要求選擇適當的基片負偏壓。

              ②鍍膜真空度和反應氣體分壓.

              離子鍍膜真空度對膜層組織、性能的影響與真空蒸鍍時的影響規律相似,但反應氣體分壓對反應離子鍍鍍制化合物膜的成分、結構和性能有直接的影響,圖5是hcd離子鍍tin膜的硬度與氮氣分壓的關系,因此反應氣體的分壓應根據離子鍍方法,化合物膜層的成分、性質、使用要求以及設備來選擇


              ③基片溫度.

              離子鍍膜基片溫度的高低直接影響著膜層的組織、結構和性能。一般情況下,溫度的升高有利于提高膜層與基片的附著力,有利于改善膜層的組織與性能。但是,溫度過高,則會使沉積速率降低,有時還會使膜層晶粒粗大,性能變壞;圖6中hcd離子鍍鉻膜顯微硬度受基片溫度影響的規律。另外,基片溫度的選擇還要受基片材料性質的限制,如鋼材的回火溫度等

              ④蒸發源功率.

              蒸發源功率對蒸發速率有直接的影響,進而影響沉積速率,影響膜層的組織、性能,對反應沉積化合膜時蒸發源功率也將影響膜層的成分。

              為了獲得所需性能的膜層,應綜合分析、考慮各種因素,迭擇鍍膜方法和確定合理的鍍膜工藝參數。



              真空鍍膜技術的優點分析


              真空鍍膜技術優點表現在哪里?真空鍍膜技術在塑料制品上的應用廣泛,真空鍍膜機廠表示,塑料具有易成型,成本低,質量輕,不腐蝕等特點,塑料制品應用廣泛,但因其缺點制約了擴大應用。通過真空鍍膜技術的應用,使塑料表面金屬化,將有機材料和無機材料結合起來,大大提高了它的物理、化學性能。真空鍍膜技術優點主要表現在以下幾個方面:

              1、使塑料表面有導電性;

              2、容易清洗,不吸塵。

              3、改善美觀,表面光滑,金屬光澤彩色化,裝飾性大大提高;

              4、減少吸水率,鍍膜次數愈多,孔愈少,吸水率降低,制品不易變形,提高耐熱性;

              5、改善表面硬度,原塑膠表面比金屬軟而易受損害,通過真空鍍膜技術,硬度及耐磨性大大增加;

              6、可以提高耐候性,一般塑料在室外會老化的非常快,主要原因是紫外線照射所致,而鍍鋁后,鋁對紫外線反射強,所以耐候性大大提高。



              新型磁控濺射真空鍍膜機鍍膜工藝


              磁控濺射真空鍍膜機鍍膜工藝在鍍膜行業無處不在,只要說到鍍膜技術,大家都會立刻想到磁控鍍膜工藝,磁控濺射真空鍍膜機也受到了各大廠家的追捧,磁控濺射鍍膜工藝更是受到大家的喜愛,今天至成小編為大家介紹一下磁控濺射鍍膜機鍍膜工藝。

              其實從一般的金屬靶材濺射、反應濺射、偏壓濺射等,伴隨著工業需求及新型磁控濺射技術的出現,低壓濺射、高速沉積、自支撐濺射沉積、多重表面工程以及脈沖濺射等新型工藝成為目前該領域的發展趨勢。低壓濺射的關鍵問題是在低壓(一般是指<011Pa)下,電子與氣體原子的碰撞幾率降低,在常規磁控濺射技術中不足以維持靶材表面的輝光放電,導致濺射沉積無法繼續進行。通過優化磁場設計,使得電子空間運動距離延長,非平衡磁控濺射技術可以實現在10-2Pa等級的真空下進行濺射沉積。另外,通過外加電磁場約束電子運動可以實現更低壓強下的濺射沉積。進行高速沉積可以極大的提高工作效率、減少工作氣體消耗以及獲得新型膜層。實現高速沉積主要需要解決的問題是在提高靶材電流密度的同時,不會產生弧光放電;由于功率密度的提高,靶材、襯底的冷卻能力需要相應提高等。目前,已經實現了靶材功率密度超過100W/cm2,沉積速率超過1μm/min。



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