脈沖激光沉積設(shè)備報價優(yōu)惠報價【沈陽鵬程】

脈沖激光沉積機制

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PLD的系統(tǒng)設(shè)備簡單，相反，它的原理卻是非常復雜的物理現(xiàn)象。脈沖激光沉積的優(yōu)點想了解更多關(guān)于脈沖激光沉積的相關(guān)資訊，請持續(xù)關(guān)注本公司。它涉及高能量脈沖輻射沖擊固體靶時，激光與物質(zhì)之間的所有物理相互作用，亦包括等離子羽狀物的形成，其后已熔化的物質(zhì)通過等離子羽狀物到達已加熱的基片表面的轉(zhuǎn)移，及膜的生成過程。所以，PLD一般可以分為以下四個階段：

1. 激光輻射與靶的相互作用

2. 熔化物質(zhì)的動態(tài)

3. 熔化物質(zhì)在基片的沉積

4. 薄膜在基片表面的成核（nucleation）與生成。

脈沖激光沉積系統(tǒng)配置介紹

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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置：

生長室，進樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED，工作氣壓可達100Pa可預留法蘭，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可選項如臭氧發(fā)生器，離子源，掩膜系統(tǒng)等。激光脈沖能做到特別短，譬如“皮秒”級別，就是說脈沖的時間為皮秒這個數(shù)量級——而1皮秒等于一萬億分之一秒。

脈沖激光沉積選件介紹

激光分子束外延(Laser MBE )

激光MBE 是普遍采用的術(shù)語，該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測的反射高能電子衍射（RHEED）的聯(lián)合應用，用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長的單分子水平控制。

正確的設(shè)計是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數(shù)

RHEED 通常在高真空（<10-6 torr）環(huán)境下使用。然而，因為在某些特殊情況下，PLD 采用較高的壓力，差動抽氣是必要的，

維持RHEED 槍的工作壓力，同時保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時，設(shè)計完整的系統(tǒng)消除磁場對電子束的影響是至關(guān)重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達到500 mTorr 時所需的單分子層控制。

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